La23Sr13MnO3ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究.pdfVIP

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2015-08-31 发布于湖北
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La23Sr13MnO3ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究.pdf

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La23Sr13MnO3ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究.pdf

第24卷第3期无机材料学报 Vol。24，No。3 2009年5月 Joumalof Materials Mav．2009 Inorganic 文章编号：1000-324X(2009)03．．05914)4 La2／3Srl／3 Mn03／ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究金克新，赵省贵，谭兴毅，陈长乐 (西jL_z-211：大学理学院应用物理系，西安710072) 衍射峰和ZnO(002)的衍射峰，且它们形成了两相共存体系．实验表明：茗=0．3的混合物薄膜表现为半导体导电特性，而茹=O．4的样品则出现了典型的金属一绝缘相变．所制备的样品表现出了低场磁电阻效应和非线性伏安特性．在 0．7T磁场的作用下，菇=0．3的样品在温度为60K时取得的最大磁电阻值为28．8％．通过对伏安关系拟合表明，在 La。，，Sr，力MnO，和ZnO颗粒之间存在一定的耗尽层，且产生了界面缺陷态．关键词：锰氧化物颗粒薄膜；磁电阻效应；伏安特性中图分类号：TM271；051 文献标识码：A and Characteristicsin MagnetroresistanceCurrent-voltage Films La2／3Srl／3Mn03／ZnOComposite JINKe—Xin，ZHAO Sheng—Gui，TANXing—Yi．CHENChang—Le of 710072，China) (DepartmentAppliedPhysics，NorthwestemPolytechnicalUniversity，Xi’an and characteristics Abstract：Magnetroresistancecurrent-voltage ofthe composite(La2／3SrI／3Mn03)。／ the laser methodon oxidized were by deposition Si(100)substrates (ZnO)l。filmspreparedpulsed bySi02 indicatethatZnOandLSMO investigated．XRDpatterns have(002)and(101)dominantorientations，re· formthe oftwo with resultsshowthefilm spectively，andthey coexistingsystem phases．Experimental 菇=0．3favors andthe a semiconductiveconductionfilmwithz=0．4exhibitsthe insulator·metal