高阻ZnO单晶的热激发光、热激电流及其热电效应谱测量.pdfVIP

第十五眉全田化古物半导体、微波器件和光电器件学术会议 高阻ZnO单晶的热激发光、热激电流及热电效应谱测量 李成基 李弋洋 曾一平 (中国科学院半导体研究所。 北京100083) 摘要：我们对水热法牛长的高阻ZnO单晶，在进行热激电流(TSC)和热电效应谱(TEES)测量的同时，也进行了的热激发光(TL) 的测量。在80--400K的温度范围内，测出多达13个深能级。热激电流所测的深能级大部分为空穴陷阱。热激电流与热激发光 的温度谱有很大差别。它们呈互补行为，町能是非平衡载流子在不同的温度F，其寿命小同所致。 关键词： 高阻zno；陷阱能级； 热激电流； 热电效应谱；热激发光 中图分类号：0472+．4 文献标识码：A 文章编号： Themeasurementsof ZnO andTEES highresistivitybyTL，TSC i Li and ChengjLi， Yiyang YipingZeng ofsemiconductors，Chineseacademyofscience，Beijing100083) (1nstitIlto AbstractWehavemeasuredthe of ZnO de印levelshydrothermallygrown singlecrystalby stimulated and were13levelshavebeenfoundat80-400K．Mostofthem current(TSClthermoelectricefrect spectroscopy(TEES)．There atehole TSCandTLaye ofthemexhibit behaveeachother．Itis thatduetothe difference．Two possible traps．111e quite complement different at lifetimedifferent temperature． Keywords：ZnO，TL，TSC，TEES，de印level EEACC：0590 1 引言 热激电流与热激发光在物理机制上基 本上是一致的，只是测量的信号不同而已。 热激发光(Thermoluminescence，简称TL) 是一门很常用的技术，在许多绝缘体材料， 它们的基本原理是：在宽禁带材料中，除了 特别是在一些荧光与磷光材料的深能级缺 浅能级而外，还存在有很多深能级，大部分 陷的研究中得到广泛的应用睢1。对于一些高 深能级都具有明显的陷阱效应，所以也把它 阻半导体或一些半绝缘材料，大多采用热激 们称之为陷阱或陷阱能级；在低温下进行光 stimulated 电流谱旧1(Thermallycurrent，简称照时，它们可以捕获光生的电子或空穴，即 effect陷阱的填充。当光照停止后，它们又能释放 TSC)与热电效应谱旧1(Thermoelectric 被捕获的电子或空穴，又把它称之为陷阱的 spectroscopy,简称TEES)技术。近年来，由 于宽禁带材料的发展，这两种技术逐步结合 撇空。陷阱撤空的过程，不仅依赖陷阱能级 起来，对高阻材料进行更全面的研究。例如