NiFeIrMn多层膜制备及MgO掺杂研究.pdfVIP

李 明华 等 ：NiFe／IrMn多层膜制备及 MgO掺杂研究 NiFe／IrMn多层膜制备及 MgO掺杂研究 李明华，游顺青，支Il 洋，陈 喜 ，董跃刚，于广华 (北京科技大学 材料学院材料物理与化学系，北京 100083) 摘 要： 采用磁控溅射制备 了Ta／NiFe／IrMn／Ta薄 膜时间确定每层薄膜的厚度 。制备样品时用带磁性的 膜，研究 了反铁磁 IrMn的溅射功率和铁磁层 NiFe厚 托盘 ，以在平行于膜面方 向感生一个易磁化方 向。利 度对多层膜交换偏置场的影响。在反铁磁 IrMn中插 用 MicomagTM2900型交变梯度磁强计 (AGM)测量 入 MgO，发现 MgO含量对交换偏置场有一定影响。 样品的磁滞回线 ，磁场平行于膜面且沿着易磁化方 向， 随着 MgO含量的增加，多层膜 的交换偏置场逐渐增 交换偏置场根据磁滞 回线 中心的偏移来得到 。制备 大，当MgO 的含量约为 2．5 交换偏置 场达到最 大 glass／Ta(5nm)／NiFe(z)／IrMn(7nm)／Ta(5nm)的薄 值。随着MgO含量进一步增加 交换偏置场 下降。在 膜样 品(其中最下层 5nm的Ta为缓冲层 ，最上层 5nm IrMn中插入适 量的 MgO可 以有效地增加 交换偏置 的Ta为保护层)，在反铁磁 IrMn中掺入不 同含量 的 场 。 M gO 。 关键词 ： MgO；掺杂；交换偏置场 3 结果与讨论 中图分类号 ： 0484．5 文献标识码 ：A 文章编号：1001—9731(2012)11-1503—03 3．1 反铁磁层的溅射功率、铁磁层厚度对 交换偏置场 1 1 O． O室 0． 1． 1 的影响 1 引 言 交换偏置场的大小与薄膜 的溅射功率有关 ，因此 随着交换偏置现象的发现，以及它在 自旋 阀和隧 尝试改变反铁磁层的溅射功率来获得理想 的大的交换 道结为基的磁电阻器件中的重要应用，人们对其进行 偏置场 的磁 滞 回线。设计 了如下多层膜 结 构 Ta 了大量而深入的研究工作 口]。研究发现铁磁 ／反铁磁 (5nm)／NiFe(3nm)／(IrMn)(7nm)／Ta(5nm)，通过改 系统中的交换偏置场不仅和铁磁 、反铁磁材料 的磁参 变反铁磁 IrMn的溅射功率 (功率分别是 60、80、100、 量有关 ，而且和铁磁、反铁磁的厚度 、结晶取 向、界面粗 13O、160W)得到一系列 的磁滞 回线 ，图1为 IrMn的溅 糙度、晶粒尺寸、冷却场的大小和方 向等有关 ]。 射功率为 60、100和 130W 的磁滞 回线归一化 曲线 。 最近研究发现在反铁磁材料中掺入非磁性物质能 图 2为偏置场 (H )随 IrMn溅射功率 的变化曲线图。 够影响铁磁 ／反铁磁的交换偏置场及矫顽力 ，对不 同的 图 3为矫顽力 (H )随IrMn溅射功率的变化曲线 。 研究系统该影响有的有利，有的却有弊_7]。在实际应 - (a)IrMn功率60W · (b)IrMn功事80W 用中，磁电阻器件需要有大的交换偏置，所 以研究如何 ：(c)IrMn功率130V 获得大交换偏置 、且有好的热稳定性的铁磁 ／反铁磁系 统不仅在理论上有重要的价值 ，而且在实践上也有广 泛的应用前景。因此研究非磁性材料掺杂反铁磁层对 铁磁 ／反铁磁体系的影响有着