Ni含量对FeCoNiB软磁薄膜微波电磁性能的影响.pdfVIP

助 能 财 许 Ni含量对FeCoNiB软磁薄膜微波电磁性能的影响。 邱 景，龚荣洲，冯则坤，聂 彦，王 鲜 (华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉430074) 摘要： 为了改良磁性材料的高频电磁性能，采用射 更优良的微波电磁性能，包括更高的饱和磁化强度、更 频磁控溅射工艺制备了一系列FeCoB和FeCoNiB磁高的铁磁共振频率和更高的电阻率。 性薄膜。研究了Ni元素的引入对材料微结构和电磁 2 实验方法 性能的影响。结果表明，适量的Ni添加量有利于获得 优良的微波电磁性能，这主要归因于B在晶粒边界的 薄膜制备采用射频磁控溅射系统，本底真空优于 析出。制备的厚度约为200nm薄膜样品在GHz频段 下同时具有高饱和磁化强度4氕M。一2．212T，高铁磁 共振频率fFMR=3．16GHz，较高的电阻率p=2761zQ·Co。。B。。合金靶表面均匀对称放置纯度高于99．99％的 Ni片(尺寸：5mm×5mmX2mm)。基片采用厚度为 em，其磁导率实部“’在0．5～2．9GHz频率范围内 200。该薄膜可应用于GHz频段下电磁器件的设计0．2mm的康宁玻璃片(Corning 中。 聚合物衬底，沉积过程中在基片位置沿平行膜面方向 关键词： 磁性薄膜；微波电磁性能；复磁导率；电阻 施加均匀磁场(约8kA／m)以诱导面内单轴各向异性； 率；铁磁共振频率 靶与摹片的距离为120mm。通过改变Ni片的数鼍， 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1001-973l(2011)01-0116-04磁性薄膜。 薄膜样品的晶体结构采用X’PertPRO型X射线 1 引 言 目前软磁薄膜广泛地应用于各种电磁器件，例如 作电流30mA。样品组成通过在聚合物衬底上溅射制 磁记录头、微电感、微变压器、高频传感器、噪声抑制器 备并采用EAGLEⅢ聚焦型扫描X射线荧光能谱仪 以及吸波材料等诸多方面。但是随着电子工业和通信 (XRF)测得并估算。采用Sirion200型场发射扫描电 技术的进一步发展，对能在GHz高频段应用的微磁器 子显微镜(FESEM)观察分析薄膜的断面形貌。使用 LAKESH()RE 件的要求越来越迫切【lqJ。能在GHz高频段应用的微 磁器件的核心材料一软磁薄膜，需要具有高的饱和磁 静态磁滞pl线而获得薄膜典型磁参数(饱和磁化强度 化强度Ms和合适的各向异性场H。以保证高的磁导 Ms、矫顽力H。等)，采用四探针法测量薄膜的电阻率 率．￡￡’和高的铁磁共振频率厂FM。以及高的电阻率lD，以 |D。薄膜微波磁导率测量采用微带短路扫频测量技术 尽可能减少高频下的涡流损耗。此外，还需具有低的 在HP8722ES矢量网络分析仪自动测量系统中进行。 磁致伸缩系数、良好的热稳定性和集成化工艺兼容性。 3结果与讨论 近年来，对具有面内单轴各向异性的铁磁合金薄 膜开展了许多研究L4咱1并取得了一定的进展，并在微电 感、射频噪声抑制器方面已有一些应用。FeCoB薄膜谱。可以看出，所有薄膜样品的XRD谱中都没有出现 同时具有较好的软磁性能、高磁导率和高铁磁共振频 明显的晶态衍射峰，表明这些FeCoNiB薄膜样品呈非 率^MR【7’8J。添加Ni元素可以起释放薄膜内应力，提晶态。薄膜组成是通过对在聚合物基片上溅射制备的 高饱和磁化强度的作用，对磁性薄膜获得优良的软磁 样品进行X射线荧光能谱仪(XRF)测试，然后估算所 性能和高频电磁性能有积极意义『9l。 得(见图2)。 本文同时考虑FeCoB