p型ZnO薄膜的制备及特性.pdfVIP

第56卷第10期2007年10月 物理学报 Vol AcTAPHYS蛇ASINIcA 1()00—3290／2007156(10)15974—05 @21307Chin，Phs，Soc． P型ZnO薄膜的制备及特性+ 王楠孔春阳+ 朱仁江秦国平戴特力 南貌阮海波 (萤庆1|11j范大学物理学与信息技术学院。重庆400047) (2006年10月30廿收到；2007年3月19日收到修改稿) 采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜，通过离子注入对样品进行N掺杂，在不同温度下进行退火并实现 了P型转变．用扫描电r显微镜、x射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征，结果表明薄膜具有良好的表面形貌和 论并分析了退火温度和时间对ZnO薄膜P型转变的影响． 关键词：离子注入，P型ZnO薄膜，退火，射频磁控溅射 PACC：6855．6860 杂，退火后实现了ZnO薄膜的P型转变 1．引 言 2．实 验 ZnO是一种新型的白激活宽带隙半导体材料， 其禁带宽度为3．37eV，具有很高的激子束缚能，室 在直径为100 温F为60meV，激子增益可达到320cm～，是一种理 想的短波长发光器件材料”’，在白光发光二极管 验前反应室预真空度为10“Pa，采用纯度为 (LEDs)和激光二极管(LDs)等领域有着很大的应用 潜力．通过A1，Ge，Ga，In等元素掺杂容易得到性能 2．0Pa，基片与靶材之间距离为70ml，溅射时间为 80 优异的n型ZnO薄膜211但ZnO薄膜P型掺杂却 很困难，其原因主要有ZnO薄膜的P型掺杂往往导离子注入，注入能量为70 致晶格马德隆势升高使晶格不稳定”1，本征缺陷所 致的施主能级对受j三能级有很大自补偿作用等m一． 和950℃，时间分别为1，3，7和15min．用JSM。 近年来，人们对ZnO薄膜的制备、P型掺杂及物性进 行了大量研究，在理论和实验上都取得了很大进 形貌和表面粗糙程度，通过SHIMADU 展”1“，制备出了性能较好的p-ZnO薄膜．目前的研 究表明，N是p-znO很有效的受主掺杂元素，但仍存 在很多困难，如起补偿作用的施主会因N掺杂浓度 品的电学性质．采用锢．镓合金做电极，各样品均有 的不同而改变，低掺杂浓度时，主要是氧空位v。起 较好的欧姆接触 补偿受土的作用；高掺杂浓度剥，则是zn的反结构 3．结果分析 缺陷及其复合体缺陷补偿了受主“’1…．此外，ZnO受 主能级一般很深，空穴在热激发下难于进入价带．所 3．1．结构特性 以，ZnO的P型掺杂仍受到人们的普遍关注． 本文采用射频磁控溅射法在si片制备出高质 图1是样品在离子注入前后以及在不同温度退 量ZnO薄膜，通过离子注入对样品进行N离子掺 *重庆市自然科学基金(批准弓：AC4034)和重庆市教委项目(批准号：KJ050812)资助的课题 十通汛联系人 E…l：kehy58@sohu。om 万方数据 lO期 王楠等：P型ZnO薄膜的制备及特性 时ZnO薄膜SEM图，图l(b)是离子注入掺杂后未退注人使薄膜表面产生损伤和缺陷，表面粗糙度明显 火的情况，图1(c)是离子注入后在650。C温度F进 行3rain退火后的情况，图1(d)是离子注入后在显地改变薄膜的表而形貌．这是因为随着退火温度 8(K)1：温度下进行3rnl-I退火后的情况．比较图1(a)的升高，离子注人带来的辐射损伤被解理，薄膜进行 和(b)。离子注人前薄膜表面平整均匀度较好，离子