SiSiGe异质结构的硅盖层中应变对Raman谱特征的影响.pdfVIP

第 卷 第 期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 2 5 5 Vol . 25 No. 5 pp 719-722 年 月 2005 2 0 0 5 5 SpectroScopy and Spectral AnalySiS ay ============================================================================== / 异质结构的硅盖层中应变对 谱特征的影响 Si Sige aman 肖清华 屠海令 北京有色金属研究总院 国家半导体材料工程研究中心 北京 100088 摘 要 应变 / 异质结构通过大剂量 离子注入并结合高温快速热退火制备而成0 325 波长的紫 Si SiGe Ge nm 外激光被用于调查应变 盖层的 谱特征 实验发现 硅盖层中的张应变导致硅的 1 的一级拉 Si aman 0 520 cm 曼散射峰向低频方向偏移 峰的偏移程度反映硅盖层中横向张应力的大小约为 12. 5 108 N m 2 0 硅盖层 中的张应变并未导致 1 555 和 2 330 cm 1 的次级拉曼散射峰的变化0 主题词 异质结构 应变 谱 Si ; SiGe ; ; ; aman 中图分类号: 0 471 0 473. 3 0 484. 1 文献标识码: A 文章编号: 1000-0593 2005) 05-0719-04 的干扰 提高了测量的灵敏度和可靠性 引 言 0 近年来 应变 异质结构受到极为广泛的关注 1 实 验 / Si SiGe 这主要是因为两者晶格的不匹配提供了能带工程的可能性 . 异质结构的制备 从而有可能用于高性能的硅基高速电子电路以及光电子器 / 异质结构通过大剂量离子注入并结合高温退火