顺电(BaSr)TiO3缓冲层对(Bi,La)FeO3多铁性薄膜的性能影响.pdfVIP

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苗君,姜勇 (材料科学与工程学院。北京科技大学,100083) R3C点群,晶胞参数a=0.5634 BiFe03(BFo)多铁性材料,属于钙钛矿结构Rhombohedral nm,0‘ 123K)与弱铁磁性(Tw=643K) =59.348。【¨.BiFe03较令人感兴趣的特征是室温下呈铁电性(Tc=1 共存,是目前尚少的室温铁磁铁电体材料。国际许多研究组【21研究BiFe03类材料,一方面改善薄 inhomogeneous自旋结构等,是较有前景的BFO改性材料之一。 本文从另一途径改善BFO薄膜性质。我们在电极/BU’/基片界面添加氧化缓冲层的方法,构筑 非铁电层/铁电层月#铁电层的多铁性异质结构,抑制多铁性材料氧空位的不利影响。BLF脉冲激光 BLF薄膜相比,BST/BLF/BST异质结铁电性质有较大改善。 图l为两类薄膜的表面形貌特征,BST/BLF/BST呈条状晶须,BLF为典型多晶薄膜,均伴Bi 元素挥发。两者形貌差异可能是基片/薄膜界面态的变化,导致薄膜生长模式的差异。图2电滞回 46.9 IxC/cm2)。非铁电层/铁电层月E铁电层异质结的铁电特性改善,可能是薄膜的内禀损耗及漏电受 极化保持特性的改善。 总之,采用BST缓冲层后BST/BLF/BST异质结的铁/介电性得到改善,弛豫特征相对增强。原 因可能是BST缓冲层降低BLF薄膜的氧空位密度及迁移率,抑制内禀损耗及直流电导,详细的研 究工作尚在进行中。 ■圈 隧骥 i f~~~~望””F” 孙。=≮二划 [1】1 1 Wang,JB.Neaton,HZheng,ot d,Sciemco,299,1719(2003) F 【2】0.Auciello,JScott,and凡R锄csh,Phys Today,51,22(t998). R 99, 【3】S.Das,PBha址8曲m&N.只cbolldha啦andS.K旦fiyar,J.Appl.Phys 066107(2006)

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