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具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT.pdf
第15卷第1期 功能材料与器件学报 VoL15．No．I
OFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES
2009年2月 JOURNAL Feb．，2009
文章编号：1007—4252(2009)01—0015—05
HBT
具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi
沈飒，张万荣，谢红云，金冬月，李佳，甘军宁
(北京工业大学电子信患与工程控制学院，北京100124)
摘要：本文对多发射极条(指)微波功率GeSiHBT进行了设计、制造和测试，并就测试结果对电流
处理能力进行了研究。实验结果表明，对20—80指的GeSiHBT，发射极单位长度的电流密度，o在
1．67—1．06A／era之间变化。随发射极条数的增加，，0逐渐减少，分析认为这是由发射极条之间的
HBT
热耦合引起有源区的温度非均匀分布而导致的。并且通过测试所得到的厶值，证明多指GeSi
可通过选择合适的发射极条数、条长和发射区面积获得更高的电流处理能力。
关键词：锗硅异质结双极晶体管；热耦合效应；电流处理能力
中图分类号：TN323；EEACC文献标识码：2506P
microwaveGeSi
Multipleemitter—-fingerpower
HBT
wi恤largecurrent—handlingcapability
SHEN Jia，GAN
Pei，ZHANGWan—rang，XIEHong—yun，finDong—yue，LI Jun—ning
ofElectronicInformationandControl
(School Engineering，
of
University 100124，China)
Beijing Technology，Beijing
microwaveGeSiHBTwere andfabricated．Thecurrent
Abstract：Multi—fingerpower designed handling
wasstudied theemittercurrent resultsshowthatthee-
capability throughtesting densities．Experimental
current for with20to
mitter linear ofunit from1．67to1．06A／cm GeSiHBT
density perimeter(to)varies
80emitter theemitter reduceswhichresultfromnon—uniform
fingers．As fingersincreasing，to te
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