利用电化学刻蚀工艺制备p型硅基大孔深通道阵列.pdfVIP

第29卷第12期 兵 工 学 报 V01．29No．12 2008年12月 ACTAARMAMENTARII Dee．2008 利用电化学刻蚀工艺制备P型硅基大孔深通道阵列 高延军1一，端木庆铎1，王国政1，李野1，田景全1 (1．长春理工大学理学院，吉林长春，130022；2．吉林大学电子科学与工程学院，吉林长春130012) 摘要：在自制的三极电解槽中，采用浓度不同的氢氟酸(HF)电解液在一定掺杂浓度的P型硅 基上，研究了大孔深通道阵列的形成过程。通过一系列实验、电化学测试与分析，从理论上论述了 P型大孔深通道阵列的形成微观机制，同时解释了电化学刻蚀反应与HF浓度的关系，指出了HF 浓度决定电化学反应刻蚀的进行与否与样品质量的关键。提供了一种利用电化学刻蚀工艺制备P 型大孔深通道阵列经济实用的方法，实验结果对其形成具有指导意义。 关键词：电子物理学；电化学刻蚀；大孔深通道阵列；氢氟酸；P型硅 文献标志码：A 中图分类号：TN205；TN223 Formationof Silicon-based Channel P-Type DeepMacropore Utili Electrochemical Arrayby zing Etching Technology GAO Yel，TIAN Yan．junl·2，Duan．muQing．du01，WANGGuo-zhen91，LIJing—quanl of ofScienceand (1．SchoolScience，ChangchunUniversity Technology，Changehun130022，Jilin，China； ofElectronicScienceand 2．College Engineering，JilinUniversity，Changchun130012。Jilin,China) Abstract：Theformationof channelof siliconinHF wasinves． deepmacroporearrayp-type electrolyte aseriesofelectrochemical andtestswerecarriedoutinthree tigated．Then etching poles experiments electrobathdifferentconcentrationHF formationmechanismof using electrolytes．The deepmacropore channelof siliconwas the betweentheelectro． arrayp-type theoreticallydescribed，andrelationship shownthat chemical reactionandtheHFconcentrationwas is