原位气相聚合法合成制备PThPVDF导电复合膜的研究.pdfVIP

李泽全等：原位气相聚合法合成制备阴l／PⅥ)F导电复合膜的研究 原位气相聚合法合成制备PT∽VDF导电复合膜的研究幸 李泽全，杜军，范兴，陶长元 (重庆大学化学化工学院，重庆400044) 摘要：在低温低压条件下，以Fecl3为氧化剂，通成膜过程。 过原位气相聚合法合成制备Pn(聚噻吩)／PVDF(聚偏 2 实 验 氟乙烯)导电复合膜，探讨了制备条件对复合膜性能 的影响。ATR．IR光谱测试结果证实，该复合膜的光 2．1试剂与仪器 谱图中出现了聚噻吩的特征吸收峰。扫描电镜观察表 实验所用试剂：噻吩、三氯化铁、乙醚、乙醇、 明，该复合膜的表观形貌随聚合进行而逐步变化。四 丙酮、氯仿，均为分析纯；PVDF微孔膜(孔径0．22um， 探针法测试结果显示，该复合膜的电导率为0．1一 u 厚度85m，杭州西斗门膜工业有限公司)。 1．0S·cm～。滤速法测定结果说明，该复合膜的平均 GTL．D型膜孔测定仪(国家海洋局杭州水处理中 孔径随聚合反应时间增加而逐渐减小． 关键词：聚噻吩；导电复合膜：气相聚合 中图分类号：0626．12 文献标识码：A SZT．2000型四探针电导仪(上海虹桥检测器材厂)。 文章编号：1001．973l(2004)增刊-3155-04 2．2PTMPVDF复合导电膜的合成制备 基膜的预处理：采用浸渍法在基膜中引入FeCl，， 1 引 言 于一定条件下干燥后待用。 复合膜的合成制各：将预处理后的基膜置于聚合 自1977年，K．Shiral(awa和MacDiaIIlid等人发现用 S．cm以 反应装置中(如图l所示)。反应器为真空保干器， AsF5、12对聚乙炔(PA)进行P型掺杂可获得103 以上的高导电率的高分子材料以来【l】，导电高分子材 反应在低压条件下进行。经过预处理的基膜置于玻板 料的研究引起了许多科技工作者的极大兴趣。聚噻吩 的中心圆孔上，用扣具压住，玻板与器皿接触处亦密 封。反应时，噻吩单体置于膜下方。反应后复合膜经 (P111)作为一类功能性共轭高分子物质，由于具有 良好的稳定性，在三阶非线性光学材料、导电材料、 真空干燥2h，以便待用。 发光材料、电池材料、电磁屏蔽材料等方面都具有良 好的应用前景【2】，从而倍受学术界关注。但其聚合物 的难溶难熔性，限制了其应用研究的进一步发展。聚 偏氟乙烯(PVDF)因其良好的机械强度与化学稳定 一心蝥‘一，河 初 性，以及压电、分离等功能特性，而被广泛关注，与 藿 义 I ‘ 璧 Pn复合有望产生具有良好特性的新型功能复合材 一蠲、陛兰，yL -一 料。 目前聚噻吩类聚合物的合成多采用液相常温聚 图l 气相反应实验装置图