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双层复合栅介质膜的制备及电学性能研究.pdf
助 锨 材 料 2012年第7期(43)卷
双层复合栅介质膜的制备及电学性能研究
王 乐，张亚军，祖 帅 ，钟传杰
(江南大学 物联网工程学院，江苏 无锡 214122)
摘 要： 介 电常数分别为 2．6的聚甲基 丙烯酸甲酯
2 实验方法
(PMMA)及介电常数为 16的偏氟乙烯一三氟 乙烯共聚
物 (P(VDF—TrFE))两种不同的有机绝缘材料 ，通过溶
实验 中采用溶液旋涂和喷墨印刷的方法制备了3
液旋涂的方法在 P型硅衬底上制备 了不同结构的复合
种结构的MIS样品。所使用的PMMA材料分子量为
栅介质膜并测试 了它们 的高频 C- 特性及漏电特性。
996K，购于 Aldrich公司，溶于氯仿配制成 10mg／mL
实验结果表 明Si—PMMA—P(VDF—TrFE)一Ag结构绝
的溶液 。P(VDF_TrFE)购于昆山海斯公司，溶于碳酸
缘膜上单位面积 电容达到 了35nF／cm。，40V 电压下漏
二乙酯配制成 30mg／mL的溶液。3种样品的制备方
电流随着扫描 次数的增加逐渐 由7．29×10 A／cm。
法分别如下 ：图 1(a)为 Si-PMMA—P(VDF—TrFE)一Ag
降低至 3．44×10 A／cm 。而 Si—P(VDF-TrFE)一PM—
结构复合绝缘膜 ，先在清洗干净的P型硅衬底表面旋
MA—Ag结构栅介质膜测得 的单位面积 电容仅 为
涂 PMMA溶液 (6000r／min、40s)，放人 120℃真空干
15nF／cm ，在相 同电压下的单位面积漏电流为 1．93×
燥箱 中退火 30min，接着在 PMMA薄膜表面旋涂 P
1O A／cm 。在此基础上分析了电子陷 阱以及 电场强
(VDF—TrFE)溶液 (800r／min、40s)，放人 120℃真空干
度对双层栅绝缘膜 C_V、 、r／特性的影响。
燥箱中退火 30min后整体 120℃真空退火 10h。然后
关键词 ： OTFT；复合绝缘膜 ；电子陷阱 ；漏电机理
通过喷墨打印的方法在绝缘膜表面制作直径 150~m
中图分类号： TM215．92 文献标识码 ：A
的银浆 电极 ，最后放人 120℃干燥箱 中处理 30rain将
文章编号：1001—9731(2012)07-0820-03
银浆还原成银。
图 1(b)为 Si—P(VDF—TrFE)一PMMA—Ag结构复
1 引 言
合绝缘膜 ，与图1(a)相比不同之处在于交换了PMMA
有机薄膜晶体管因其制备工艺简单、材料来源广、 与 P(VDF—TrFE)溶液的旋涂顺序 ，其余制备条件均
可溶液加工等一系列优点而 日益受到人们的重视_】]。 与图1(a)中结构相同。
在材料选择方面，聚
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