Philips_半导体热分析之基础资料_1.pptVIP

Philips Semiconductors_ Thermal Management * * Chapter 7_1: Thermal Considerations for Power Semiconductors Yi Dao 2006_03_05-15 Section 7-1: 被动元件 当The perfect power switch是不存在的.所有的功率半导体在on-state及on/off状态转换时均会在内部消耗能量.Switch的工作能力因此依赖于其内部功耗的总量以及功率消耗所带来的silicon junction的温升.所以说,熟悉功率半导体的热特征,以及能够计算功耗的最大限制值,junction的温升,对设计者是很重要的.本章分两部分,第一部分描述半导体基本的热特征,按照连续模式及脉冲模式来解释the concept of a limit.第二部分举例说明结温计算,在不同的脉冲波形下. Part One: The power dissipation limit 功耗限制 最大允许功耗对功率(晶体)管的安全运行区域形成了一个限制区.功耗导致结温的上升,然后会发生一个化学和metallurgical(冶金的)变化,变化率与温度呈指数关系, 因此,当功率(晶体)管长时间工作于其结温额定值上时容易导致其寿命减短. 所以,要保证器件工作于其功耗额定值(综合考虑热阻)之下,以保证结温不会超过rating值.所有功率半导体都有其功耗限制.对整流元件,如diodes, thyristors, triacs(三端双向可控硅开关元件),其功耗额定值可以很容易地由其电流额定值转换过来; 在通态时其电压降很容易定义. 晶体管有时更复杂. 晶体管,包括功率MOS或双极型晶体管,在不同电路条件下其导通状态可以工作于任何电压,直至其MAX额定值.因此有必要定义一个安全工作区(SOA, safe operating area),按照电压和电流的工作边界来定义功率耗散限制.这些工作区通常提供于基板温度为25°C时.在高温下,工作条件必须被CHECK以保证结温不会超规格.Rth(j-mb) 指的是从junction到mounting base(die之基板)的热阻;Rth(j-c) 指的是从junction到case的热阻.对大多数package来说, Rth(j-mb 和 Rth(j-c) 是一样的. Part One: Continuous power dissipation 连续性的功耗 半导体的整个功耗或许可以通过其导通电压和前向传导电流的乘积来计算.器件junction上的heat dissipated通过junction和mounting base间的热阻来传导,热等效电路如图1示.Ptot可以当成一个热电流,在junction和基板之间的温差, △Tj-mb可看成一个热电压.模拟欧姆定律,得出:Ptot=(Tj-Tmb)/(Rthj-mb) 图2显示了最大功耗与基板温度的关系.Ptot_max被限制通过最大温差△Tj-mb_max=Tjmax-Tmb_K,或者通过最大结温Tjmax(Tmb_K通常为25°C,是Tmb能够维持最大功耗在安全区域内的值.第一种情况下,Tmb≤Tmb_K: Ptot_max_K= △Tj-mb_max /(Rthj-mb),也就是功耗有一个固定的限制值(Ptot_max_K是指在小于Ｔmb_K时最大直流功耗).如果功率管跟随着基板温度Tmb1,其结温将小于Tjmax(=Tmb_K-Tmb1),如图２虚线示．在另一种情况下，Tmb＞Tmb_K: Ptot_max= Tjmax-Tmb /(Rthj-mb),也就是说如图2,当基板温度上升时功耗必须减少.热阻越小,图中斜线斜率越大.Tmb是最大的基板温度在正常工作时的． 一个晶体管数据如下：Ptot_max_K=75W; Tj_max=175°C; Rthj-mb ≤2K/W要求提供连续工作时最大基板温度在80°C时最大允许功率损耗.注意Tmb最大值被选择的比最大环境温度高许多以避免过大的散热器被要求使用.从图4可得到: Part One:Ｅxample 假设功率管工作于SOA区域,这个值是被允许的,因为其小于最大功耗. Part One: Pulse Power Operation 当功率管承受的是脉冲负载时,它可以承受更高的峰值功耗.功率管内部的材质具有一定的热容量(thermal capacity),因此,临界的结温不会立刻达到,甚至当更多的LOSS发生在器件上.对这种间歇性的工作状态器件的功耗限制可以加大.加大的程度取决于脉冲的持续时间,以及脉冲的频率.当功率管开始工作,