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第 26 卷 第 1 期 半 导 体 学 报 Vol. 26 No. 1
2005 年 1 月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan. ,2005
MOCVD 法以 NO 气体为掺杂源生长
p 型 ZnO 薄膜
徐伟中 叶志镇 周 婷 赵炳辉 朱丽萍 黄靖云
(浙江大学硅材料国家重点实验室 , 杭州 310027)
摘要 : 采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻 p 型 ZnO 薄膜. 实验使用 NO 和 N O 共同作
2
为氧源 ,且 NO 同时作为掺氮源 ,二乙基锌作为锌源. X 射线衍射测试表明薄膜具有 c 轴择优取向的结构特性 ,二次
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离子质谱分析证实了氮被掺入了 ZnO 薄膜. 通过优化锌源流量获得了最高空穴浓度为 197 ×10 cm ,最低电阻率
为 302Ω·cm 的 ZnO 薄膜.
关键词 : p 型 ; ZnO ; 金属有机化学气相沉积
PACC : 6855 ; 8115H ; 7280
( )
中图分类号: TN304054 文献标识码 : A 文章编号 : 2005
打开一个 N —N 键 ;而如果采用 NO 为氮源 ,那么随
1 引言 着氧和锌反应生成 ZnO 的同时氮原子可以直接进
入到晶格中. 从热力学上来分析 , 由于NO 中氮的化
ZnO 是一种直接禁带的 Ⅱ Ⅵ化合物半导体材 学势比N O ,N 中氮的化学势高 ,采用 NO 为氮的掺
2 2
料 ,其室温禁带宽度为 33eV ,激子束能量为 60meV , 杂源产生NO 缺陷的形成能比采用其他掺杂源的形
是制备光电器件的重要材料 ,尤其是制备室温半导 成能低 ,所以采用 NO 为氮的掺杂源有利于获得高
体激光器最好的潜在半导体材料[1 ,2 ] . 由于 ZnO 中 空穴浓度的 ZnO 薄膜. Li 等人[4 ] 以NO 为氮掺杂源
( )
有施主性质的本征缺陷 如锌间隙和氧空位 的存 并以之为氧源 ,采用 MOCVD 方法制备了 ZnO 薄膜 ,
在 ,本征 ZnO 是 n 型[3 ] ,低电阻率的p 型 ZnO 薄膜难 当N 的掺杂浓度在 2 % 以上时薄膜变为p 型 ,其获
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