VO2薄膜制备和掺杂研究进展.pdfVIP

VO 2薄膜制备及掺杂研究进展 葛振华，赵昆渝，李智东，吴 东，邹 平 (昆明理工大学材料与冶金工程学院，昆明650093) 摘要：二氧化钒(VO：)是一种性能优异的功能材料，在68℃左右发生金属态一半导体态的转变，其光学 和电学性能发生突变，在热电开关、光存储介质和激光防护方面有广泛的应用前景。但是由于钒氧体系 十分复杂，给制备高质量的VO：带来了困难。人们做了许多工作来研究VO：的结构性能，使用不同的 工艺方法制备VO：以及通过掺杂降低其相变温度。本文通过一些有代表性的VO：的研究成果，从制备 工艺和元素掺杂方面做了介绍。 关键词：VO：薄膜；制备工艺；掺杂 中图分类号：TM205．1；0484．4文献标志码：A The and Research PreparationDoping ofVOThinFilm Progress2 GEZhen—hua，ZHAO Pin Kun·yu，LIZhi·dong，WUDong，ZOU Materialsand Science (Facultyof MetallurgicalEngineering，KunmingUniversityof and 650093，China) Technology，Kunming iSanexcellentfunctional will frommetalstatetosemi． Abstract：V02 material。it change conductor and alsohavea the about68℃，its electrical optical properties greatchange，in heat，electric mediaandlaser havea broad switches，opticalstorage protectiveaspects ofvanadium is prospect．However，becauseoxygensystemverycomplicated，toprepara- tionof vanadiumdioxidehas havedonea lotof high—quality broughtdifficulties．People workto thestructureofvanadium usea lotofdifferentmethodsto study dioxide，and vanadiumdioxide，aswellas toreduceits transitiontern- prepare throughdoping phase researchresultsofvanadiumdioxide，su