半导体集成电路用表面钝化膜的研究.pdf

第 23 卷第 2 期 陶瓷学报 Vol . 23 ,No . 2 2002 年 6 月 　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　 June . 2002 JOURNAL OF CERAMICS ( ) 　文章编号 :1000 - 2278 2002 02 - 0112 - 04 半导体集成电路用表面钝化膜的研究 刘学建 　张俊计 　孙兴伟 　蒲锡鹏 　黄莉萍 ( 中国科学院上海硅酸盐研究所) 摘 　要 对于高性能高可靠性集成电路来说 ,表面钝化已成为不可缺少的工艺措施之一 。本文分析了目前应用最广泛的几种无机表面 ( ) 的特点 ,并指出氮化硅薄膜是半导体集成电路中最具应用前景的表面钝化材料 ,发展低温的热化学气相 钝化膜 SiO 、Al O 和 Si N 2 2 3 3 4 ( ) 沉积 CVD 工艺来沉积氮化硅表面钝化膜是集成电路发展的必然趋势 ,而开发新的能满足低温沉积氮化硅薄膜的硅源 、氮源前驱体 是解决这一难题的有效方法 ,并对这些前驱体物质的设计原则进行了阐述 。 关键词 :集成电路 ,表面钝化 ,薄膜 ,氮化硅 ,CVD ,有机前驱体 中图法分类号 :TQ175. 6 　　　文献标识码 :A STUDY ON SURFACE PASSIVATION FILMS FOR INTEGRATED CIRCUITS L iu X uej ian 　Zhang J unj i 　S un X ingwei 　Pu X ipeng 　Huang L ip ing ( Shanghai Institute of Ceramics ,Chinese Academy of Science) Abstract Surface passivation is one of the essential processing for high - perfomance integrated circuits. The characteristics of exist ed surface passivated films for integrated circuits ,such as silica ,alumina ,and silicon nitride films ,have been reviewed and dis cussed in detail . Silicon nitride film has promising application for surface passivation in the large scale integrated circuits (LSI) . It is an inevitable trent for LSI that chemical vapor deposition of silicon nitride film at low temperature . One of an effi cient way is to develop new organic precursors as nitrogen and/ or silicon sources that can deposit silicon nitride film at relative low temperatur