热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究.pdfVIP

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2015-09-04 发布于重庆
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热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究.pdf

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39 3 人工晶体学报 V ol. 39 N o. 3 2010 6 JOURNA L OF SYNTHET IC CRY STAL S June, 2010 CVD Si Ge 黄海宾, 沈鸿烈, 唐正霞, 吴天如, 张磊 ( , 211100) CVD S i Si G e , XRD R am an - 1 200 , S i( 111) Ram an 521. 0 cm ; X ( FWHM ) 5. 04 cm- 1 ( 111) S i; 300 - 1 , S i( 100) , R am an 300. 3 cm G e , G e G e ( 220) CVD CVD; ; S i; Si; G e O 484 A 10009 85X ( 20 10) 030 60305 Low Temperature Epitaxial Growth of Si and Ge Fi lm s on c Si Substrate by H ot w ire CVD H UAN G H aibin, SHEN H ong lie, TAN G Zheng x ia, WU T ianru, ZHANG Lei ( C ollege of M aterials S cience and T echn ology, N an jing U n iv ersity of A eronaut ics and A s tronau tics, N an jing 2 11100, Ch ina) (R ece ived 7 D ecem ber 2009, acce ted 25 F ebruary 20 10) Abstra t: E p itax ial grow th of Si and G e film s on cS i sub strate w as carried out by hotw ire CVD ( HW CVD ) at low sub strate tem p erature. XRD and R am an sp ectroscopy w ere u sed to analyze the stru ctural prop ert ies of the film s. It w as found th at a h igh qua lity homoep itax ial S i film is obta ined on S i