直流磁控溅射镀膜实验条件的选择.pdfVIP

第 17 卷 第 2 期 大 　学 　物 　理 　实 　验 　 Vol . 17 No . 2 2004 年 6 月出版 PHYSICAL EXPERIMENT OF COLLEGE Jun . 2004 ( ) 文章编号 :1007 - 2934 2004 02 - 0025 - 03 直流磁控溅射镀膜实验条件的选择 吴桂芳 　赵青生 (安徽大学 ,合肥 ,230039) 摘 　要 　介绍一台改制的直流以磁控溅射镀膜机用于溅射镀膜实验 ,选择实验条件 ,观 察实验现象 ,得到多层薄膜 。 关键词 　溅射镀膜 ;辉光放电;多层薄膜 中图分类号 :O485 　　　　文献标识码 :A 1 　溅射镀膜原理及特点 溅射镀膜是利用气体放电产生的正离子在电场的作用下高速轰击作为阳极的靶 ,使 ( ) 靶材料中原子 或离子 逸出而淀积到被镀基片表面 ,从而形成所需要的薄膜 。 溅射镀膜类型很多 ,与真空蒸发镀膜相比,其主要特点有下面四点 : ( ) 1 任何物质都可以溅射 ,尤其是高熔点、低蒸汽压的元素和化合物 。 (2) 溅射薄膜与基片之间的附着性好 。 (3) 溅射薄膜密度高 、针孔少 、薄膜纯度高 。 (4) 溅射薄膜膜厚容易控制 ,重复性好 。 磁控溅射则是以磁场来改变电子的运行方向 ,束缚和延长电子的运动轨迹 ,从而提高 了电子对工作气体的电离几率和有效地利用了电子的能量 ,使正离子对靶材轰击所引起 的靶材溅射更加有效 。同时 ,受正交电磁场束缚的离子 ,又只能在其能量将要耗尽时才沉 积在基片上 ,这就使得磁控溅射又多具备了“高温”、“低速”的两大优点 。 2 　实验条件的确定 为了确保实验效果 ,我们确定的基本实验条件为 : ( ) - 3 Pa 1 本底真空度 :5 ×10 (2) 靶材尺寸 :50mm ×H5mm (3) 靶与基片距离 :40mm (4) 基片旋转速度 :45 转/ min (5) 工作气体为氩气 ,氩气分压 :2Pa 收稿 日期 :2003 - 5 - 18 — 25 — © 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. (6) 靶材料为 Cu 靶 ,纯度为 9999 % 薄膜厚度用 6JA 光学干涉显微镜和 BP2 11D 电子天平共同确定 。 在实验时 ,从以下几个方面设置了优化的实验条件 , 以有利于学生观察实验现象、记 录处理实验数据 、思考讨论问题 。 21 　溅射功率与成膜速率的关系 　　表 1 　溅射功率与成膜速率数据 ( ) 溅射功率 W w 50 70 100 120 150 成膜速率 V (nm/ min) 86 106 174 252 318 　　表 1 是溅射功率与成膜速率的数据 , 溅射时间为 10 分钟 。图 1 是溅射功率与 成膜速率的关系曲线 。 由表 1 、图 1 可见 ,成膜速率随着溅射 功率增加而增大 。但是 , 随着溅射功率的 不断增加 ,溅射过程中有大量靶材料的原 子团参与成膜 , 导致膜的致密性 、均匀性 变坏 ,膜变得比较粗糙 。实验中 , 为了获 得既有一定厚度 、又有一定成膜速率 、又 ( ) 可为下一个实验 测试膜厚 提供一个好 图 1 　溅射功率与成膜速率关系 的样品 ,我们确定学生实验