磁阻效应的分类和应用.pdfVIP

阻效应的分类和应用 摘要：磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧 阻效应等，磁阻效应广泛用于 传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、 GPS 导航、仪器仪表、 存储( 卡、硬盘)等领域。 阻效应（Magnetoresistance Effects ）是指某些金属或半导体的电阻值随 外加磁场变化而变化的现象。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场 中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态 ，某—速度的载流子所受到的电场力与 洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场 力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子 的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增 加。这种现象称为磁阻效应。 磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医 疗器械、探矿等领域得到广泛应用，如数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、 伪钞检别、位置测量等。 InSb 其中最典型的锑化铟 （ ）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁阻器件 磁电阻，有着十分重要的应用价值。 衡量 阻效应大小 的物理量称为 归一化 电阻（ normalized magnetoresistance ），其表达式为 r r（H ,T ) r（0, T ) = r r（0,T ) 1 常磁阻(Ordinary Magnetoresistance, OMR) 对所有非 性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中 偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰 撞机率增大，进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉 ·汤姆森，即 后来的开尔文爵士发现，但是在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这样的效 应后来被称为 “常磁阻”(ordinary magnetoresistance, OMR)。 2 巨磁阻(Giant Magnetoresistance, GMR) 所谓巨磁阻效应，是指 性材料的电阻率在有外磁场作用 较之无外磁场作 用 存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的 性薄 膜结构。这种结构是由铁 材料和非铁 材料薄层交替叠合而成。当铁 层的 矩相互平行 ，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁 层的 矩为反平行 ，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 巨 电阻效应存在于铁 性(如：Fe, Co, Ni)/非铁 性(如：Cr, Cu, Ag, Au) 的多层膜系统，由于非 性层的 交换作用会改变 性层的传导电子行为，使得 电子产生程度不同的 散射而造成较大的电阻，其电阻变化较常磁阻大上许多， 故被称为 “巨磁阻”。1988年由法国物理学家阿尔贝·费尔与德国物理学家彼 得 ·格林贝格分别发现的巨磁阻效应，也被视为是自旋电子学的滥觞。 巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance）是一种量子力学和凝聚态物理学现象， 磁阻效应的一种，可以在 性材料和非 性材料相间的薄膜层 （几个纳米厚）结 构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁 性材料薄膜层的磁化方向有关，两层