ITO薄膜的微观组织结构与光电性能研究.pdfVIP

维普资讯 第36卷 第 10期 稀有金属材料与工程 Vo1．36，No．10 2007笠 10月 RAREMETALMA[TERIALSAND ENGINEERING October2oo7 ITO薄膜的微观组织结构与光电性能研究 曾胜男，刘家祥，张 楠 (北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室，北京 100029) 摘 要：以金属铟和结晶四氯化锡为原料，采用溶胶．凝胶工艺，用浸渍提拉法在石英玻璃基体上制各 ITO透明导电薄 膜。采用XRD，AFM，四探针 电阻率仪，紫外分光光度计对薄膜的晶型结构，表面形貌，方电阻和透光率进行了测定 和分析，研究了热处理温度和提拉层数对薄膜光 电性能的影响。结果表明：随着热处理温度的升高，薄膜的方电阻显 著降低，透光率也不断增大，但是当后处理温度大于 750℃时，透光率略有降低，方 电阻仍然降低。 关键词：ITO前驱物浆料；溶胶 凝胶法；微观组织结构；光电性能 中图法分类号：TB43 文献标识码 ：A 文章编号：1002．185X(2007)10．1861．04 杂质离子，接着用无水乙醇浸泡置换出氢氧化物中水 1 引 言 分，添加适当的添加剂制备出稳定的ITO前驱物浆料。 ITO膜是一种 n型半导体，其带隙为’3．5-4．3eV， 2．2 浸渍．提拉法制备 ITo薄膜 最大载流子浓度约为 10 cm [ 。由于 ITO膜具有 ITO薄膜的电导率对掺杂物十分敏感。低价的离 较好的光电性能及优异的热稳定性，被大量用于各种 子，如Na，K ，在烧结过程中由于热扩散进入膜层， 光 电仪器中，如有机太阳能电池[4】，有机 电致发光二 会极大地降低薄膜的电导率 。为了减小低价离子对薄 极管[5】，有机区域效应晶体管[】等 。 膜电性能的影响，一般采用镀 SiO 的玻璃或者石英玻 制备 ITO薄膜的方法很多，如磁控溅射法0、电 璃作为基片[1”。本实验为了研究高温烧结对薄膜光电 子束蒸发法[引、喷雾热分解法[9】、溶胶．凝胶法[o】等。 性能的影响，故选择可以耐高温的石英玻璃作为基片。 与应用最广泛的磁控溅射法相比较，溶胶．凝胶法具有 用洗涤剂清洗玻璃基片后用去离子水冲净，将基 溶液 的掺杂浓度和均匀性容易控制、工艺简单、设备 片置于超声波清洗机中清洗 2rain以洗净玻璃表面的 成本低、可以在不同形状基体正反两面同时镀膜、且 灰尘和杂质。接着用浓硫酸浸泡基片24h，以使玻璃 可以方便地大面积成膜的优点。故用溶胶．凝胶法制备 表面难 以除去的杂质氧化，进一步清洗基片。最后洗 ITO 薄膜的研究引起了国内外研究者的广泛关注，但 去基片表面的残余浓硫酸后浸泡于乙醇和丙酮的混合 溶胶．凝胶法制备出ITO膜的电阻相对较大，解决此 问 液中待用 。 题是 目前国内外研究的焦点。本实验研究了影响 ITO 将清洗干净的基片浸入 已制备好的上述前驱物浆 薄膜光电性能的因素，特别是较高的热处理烧结温度 料中，以 10cm／min的速度垂直提拉，待膜干燥后放 对 ITO薄膜性能的影响。 于马弗炉 中以不同的热处理温度 (400～800℃)分别 烧结 10min进行热处理。 2 实 验 2．3 ITo薄膜的表征 2．1 溶胶．凝胶法制备 ITO前驱物浆料 采用 X射线衍射仪 (RigakuD／max．2500型)分 采用金属铟 (纯度99．99％)和结 晶四氯化锡作 析样品的晶型结构 (CuKa辐