浮空场板二维数值分析.pdfVIP

　第 20 卷第 4 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 4　 V o l N o 　1999 年 4 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A p r 浮空场板的二维数值分析 张　　　　李肇基 ( 电子科技大学微电子研究所　成都　610054) 摘要　 本文提出了模拟二氧化硅表面的浮空场板二维电场分布的一种新方法, 它基于异质结 器件的模拟方法, 将二氧化硅用电导率为零、介电常数为 39 的材料来模拟. 借助此方法对一 新结构的浮空场板进行了二维数值计算, 并获得实验的初步支持. : 2560 , 2560 EEACC B R 1　引言 近年来迅速发展的智能功率集成电路(SP IC) 中常有高压互连线横跨反偏的PN 结, 由 于高压互连线上带正电荷,N 中性区中的电子将被吸引到半导体表面进入空间电荷区, 导 致耗尽区的缩小, 使得峰值电场增高, 严重地影响击穿电压, 其程度取决于高压互连线与半 导体表面之间的距离, 但受实际工艺的限制, 氧化层的厚度只能作到 3～ 5m , 一种降低其 [ 1 ] 影响的方法是 Fu jish im a 等人提出的在高压互连线与半导体表面增加一层浮空场板 , 它 能降低器件的表面峰值电场, 提高击穿电压. 目前能模拟该种结构的软件还很少,M artin 等 人通过修改二维器件数值分析软件 GEM IN I, 对具有高压互连线的双层浮空电阻场板进行 [ 2 ] 了模拟 , 其方法是将电阻场板用多晶硅来表示, 当没有高压互连线时, 电阻场板的边界条 件为浮置边界, GEM IN I 能求出其电势, 当加上高压互连线之后, 电阻场板为固定边界条 件, 电压值取相邻两块场板以及高压互连线电压的平均值, 这种方法模拟浮空场板仅是很粗 略的近似. T erash im a 等人用 P ISCES IIB 直接给定浮空场板的浮空电位的方法来模拟浮空 [ 3 ] 场板 , 这种模拟方法也不准确. Falck 等人开发了求解二维及三维 Po isson 方程的数值分 析软件[ 4, 5 ] , 并利用该软件来优化设计有高压互连线的浮空场板, 其结果与文献[ 3 ]类似, 是 电势均分的, 有待实验佐证. 本文首先通过修改 P ISCES IIB 源程序, 使之能近似地模拟异质 结器件, 利用这一功能, 我们将二氧化硅用电导率很小的材料来代替, 将其介电常数 SiO 取 2 39, 净掺杂浓度及迁移率取为零. 利用这种方法, 对具有高压互连线的多层浮空场板对电场 的影响作了模拟, 模拟结果表明, 双层浮空场板对降低峰值电场, 提高击穿电压有明显效果. 张　　　男, 1970 年出生, 博士生, 主要从事高压功率器件及智能功率集成电路CAD 研究工作 李肇基　男, 1940 年出生, 教授, 博士生导师, 主要从事高压功率器件及