原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
控电位法制备CdSe纳米线阵列及其性能研究.pdf
2014年7月 电镀与精饰 ·1·
第36卷第7期(总256期)
doi：10．3969“issn．1001—3849．2014．07．ool
控电位法制备CdSe纳米线阵列
及其性能研究
王宏智， 卢 敬， 姚素薇， 张卫国
(天津大学化工学院杉山表面技术研究室，天津300072)
摘要：以seO：为硒源，以阳极氧化铝为模板，采用电化学方法对SeO，在碱性电解液中的还原过程
进行了分析，确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成，并分析了其沉积机理。在此
基础上，以阳极氧化铝为模板，通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列。采用扫描电子显微镜、透
射电子显微镜和x一射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征。扫描电镜形貌分析表明，
CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一；直径约100nm，与模板孔径一致。x．射线衍射测试表明，所
制得的cdse纳米线为立方晶型。光电性能测试表明，Cdse纳米线阵列电极的开路电位差值为
324．8
mV，高于cdse薄膜(125．5mV)；光催化降解罗丹明B测试表明，5h后，cdse纳米线的降解
率达94．29％，强于cdSe薄膜(52．03％)。
关键词：AAO；CdSe纳米线；电沉积；光电响应；光催化
中图分类号：TQl53．2，0646文献标识码：A
andPhotoelectrochemicalofCdSeNano丽res
Synthesis Properties
Co璐tantPoteIltial Method
by Deposition
WANG
Hong—zhi，LUJing，YA0Su—wei，ZHANG
Wei—guo
ofSu如ce ofChemical and U．
(Sugiyamalaboratory Technology，School
EngineeringTechnology，Tianjin
niVersity，Tianjin300072，China)
AA0as and asSe of was ina1．
Abstract：UsingtemplatesSe02 source，reduction
processSe02 analyzed
kaline method．The and wereob．
electmlytebyelectrochemistry
depositionpotentialelectrolyteconsisting
tained．Wealso the mechanism．ThenCdSenanowireswere
con．
investigateddeposition pIDducedusing
stant methodinAAO
文档评论（0）