氩氧比对RF磁控溅射制备ZnO薄膜的影响.pdfVIP

维普资讯 第 1O卷 第 3期 重庆科技学院学报 (自然科学版) 2008年6月 氩氧比对 RF磁控溅射制备 ZnO薄膜的影响 朱 仁 江 (重庆师范大学光学工程重点实验室，重庆 400047) 摘 要：探讨氩氧比对采用 ZnO陶瓷靶材磁控溅射制备薄膜的影响。研究发现，不同氩氧比对薄膜的溅射率和电 学性能影响较大，而对薄膜的晶体结构和透过率没有产生明显的影响。随着氧气含量的增加 ，薄膜溅射率下降，并 从 n型导电变为高阻状态。薄膜呈较强的c轴择优取向的多晶结构 ，在可见光区域内玻璃衬底上的ZnO薄膜具有 优异的透射特性。 关键词：氩氧比 ；溅射率；氩氧比；ZnO薄膜 中图分类号：TN304．2 文献标识码：A 文章编号：1673-1980(2008)03—0043—02 ZnO是一种具有六方纤锌矿结构的直接带隙 99 的ZnO陶瓷烧结靶 ，基