基于SOI的光子晶体波导的研究.pdf

SEMIcoNDUC’loRoPToEl正CrRoNICSV01．24No．6 Dec．2003 基于SoI的光子晶体波导的研究 解灵运，张冶金，彭小舟，陈向飞，谢世钟 f清华大学电子工程幕。北京lO0084} 摘要： 550 络出了基于sOI晶片、带隙中心位于1nm的光子带隙材料及光子晶体波导器 件的设计方法。采用基于超原胞的平面波展开法和基于完美匹配层边界条件的三维时域有限差分 法，对二维光子晶体平扳的带隙结构及光波传输进行仿真。在大量计算和优化的基础上，设计了适 于248 nm深紫外曝光和o．18弘m离子束刻蚀工艺的光子晶体带隙材料厦波导器件，得到了初步的 工艺实验结果和样品SEM测试结果。 关键词： 光子晶体；光子带隙；深紫外曝光；sOI；平面波展开法；时域有限差分法 中图分类号：TN252文献标识码：A onSOI-basedPhot叻ic Study CrystalWavegllides XIE Xia。一zhou，CHEN Ling—yun，ZHANGYe_jin，PENG Xian乎fei，XIEShi—zhong ofElectronic E鸣11l∞riⅡg，TsjnglIua 100084，cHN) (Department Univ吣iIyBening Abstract： andfabrication forSoI七ased structures Design techniques phot。nicbandgap (PBG)andphoto埘c are Amethod wave crystalwav。guidespresented． inco‘p。ratingplane basedon withfinite_difference expansion(PWE)techniquesupercell basedon full—vectorisused．Photonic and devicessuitablefor248 technique crystalswaveguide nm UV and ion．beam are and deep lithography optimized． O．18严m etchingdesigned words： uV Key photonic c‘ystal；photonicbandgap；deep 1 引言 光波906弯折。大规模光子集成要求光子器件的尺 寸必须做到和传统集成电路中半导体器件一样小， h[1 1987年，E．Yab