利用天然氧化层掩模真空紫外硅闪耀光栅湿法刻蚀制作.pdf

摘 要 摘要 本文首先概括了闪耀光栅的历史，特点与分类；介绍了制作非对称锯齿彤 闪耀光栅的各种方法，突出介绍了近些年出现的新技术、新工艺和一些振奋人 心的成果：着重介绍了基于硅各向异性刻蚀制作闪耀光栅的原理、最新进展和 相比其他技术所独有的特点，这个方法展现了良好的应用前景。闪耀光栅的最 大特点就是将入射光的大部分能量衍射到某一个非零衍射级次上，非对称锯齿 槽形是闪耀光栅的主要轮廓形式。随着科学技术的发展，真空紫外和软X射线 波段．卜的应用和研究越来越重要，同时对非对称锯齿槽形闪耀光栅的制作也提 出了更高要求，包括超低粗糙度的闪耀面和通常方法难以做剑的小闪耀角，这 几点恰巧足硅各向异性刻蚀制作光栅的优势所在，所以掌握这项技术显得尤为 重要。 论文就是依托于本实验室良好的实验条件，针对真空紫外波段，对在单晶 硅上利用湿法各向异性刻蚀制作闪耀光栅的方法进行了系统的研究，取得了一 些有意义的结果。 单品硅是我们制作光栅的基础，因此对单晶硅的质量、硅片的精确切割、 硅片的抛光以及硅片的清洁提出了很高的要求，需要对这些参数进行严格的检 测，最终得到符合我们制作要求的带5度偏角的单晶硅片。 接着是利用热氧化层作为硅各向异性刻蚀掩模的研究。介绍了热氧化层的 获得，在理论和实验上对湿法刻蚀中的横向刻蚀做了详绌的研究，对热氧化层 掩模厚度和光刻胶线条的占宽比之间的关系进行了分析，总结了湿法刻蚀应用 在图形转移中的特点，发现了残余光刻胶对图形转移的影响，得到了初步的光 栅样品，对光刻胶掩模的质量和氧化层掩模的厚度提出了明确的要求。 然后是利用天然氧化层作为硅各向异性刻蚀掩模的研究。为了消除重力的 影响，在倒置状态下对光刻胶掩模进行高于其玻璃转变温度以上的烘烤，尽量 保证光刻胶线条高度的同时得到了光滑的光刻胶掩模，再结合光刻胶灰化技术， 进一步得到小占宽比、平直而且干净的光刻胶掩模。从理论上分析了对于我们 要制作的用于真空紫外波段的光栅来说，天然氧化层作为硅各向异性刻蚀掩模 是完伞可行的。在得到高质量光刻胶掩模的基础上，第一次在实验上利用天然 氧化层作为硅各向异性刻蚀的掩模，成功制作出接近于理想锯齿槽形的闪耀光 栅，其闪耀角为5度，线密度为1200线／毫米，闪耀面的均方根粗糙度约为0．2nm， 摘 要 其闪耀波长在140nm附近。 最后是对光栅样品的效率测量。首先分析了’在115nm～140m波段硅表面氧 化层厚度对反射率的影响，仔细测量了具有良好闪耀光栅轮廓的光栅样品S27 的在s偏振下的衍射效率，发现其绝大部分入射光的能量都被集中衍射到一1 衍射级次上，显示出优良的闪耀特性。通过原子力显微镜测得精确的光栅轮廓， 对效率和槽形效率，计算的绝对效率与实测数据吻合良好，在l35nm波长处测 得的绝对效率为53．7％，其相应的槽形效率为83．2％。 如果改进工艺条件进一步得到更小占宽比而且平直的光刻胶掩模，就很有 希望制作出槽彤顶端缺陷更小的锯齿状闪耀光栅。对于制作极紫外和软x射线 波段的闪耀光栅而言，天然氧化膜作为湿法刻蚀掩模的方法容易制作出具有较 ： 高槽形效率和光滑闪耀面的闪耀光栅，需要做的只是减小切割硅片时的切偏角 ： 度或者适当增加光栅线密度。本文介绍的方法对设备要求不高，步骤相对简单， 。二 往获得高槽彤效率的同时，还可以大大降低工艺难度及制作成本。 关键词：闪耀光栅，真空紫外，掩模，单晶硅，湿法各向异性刻蚀 ABSTRACT BIazed wIth gratIngs sa、^厂tooth asymmetric thedesirable pronlespossess of property mostofthe concentratlng difrractedinto