添加Na+对ANT系统介电性能的影响.pdfVIP

第19卷第4期 无机材料学报 Vol_19，NO．4 Journalof Materials July，2004 2004年7月 Inorganic 文章编号：i000—324X(2004)04—0823—04 添加Na+对ANT系统介电性能的影响 李玲霞，郭 炜，吴霞宛，王洪儒，张志萍，余昊明 (天津大学电子信息学院先进陶瓷与加I技术教育部重点实验室，天津300072) 摘 以在1150。c以下进行中温烧结．在本系统中，添加Na+离子置换ANT系统中的A位Ag+ 离子形成ANNT系统，通过XRD，SEM以及能谱分析发现，少量Na+添加，导致晶格参数下 降，即八面体空隙的体积将减小，从而抑制了Nb5+的松弛极化，有效地降低了ANT系统的 损耗因子，使系统的介电性能达到：E500，tg d≤5×10一，容量温度系数Ot。=+12ppm／。C， cm P。i012n 关键词：高频高介}ANT；松弛极化I介电损耗 中圉分类号：TQl74文献标识码：A 1引言 20世纪后期，信息处理技术与电子信息数字化技术相结合将通讯系统推上了一个前所 未有的新高峰．通信的终极目标是要做到全时空的信息传递与交换，通讯设备的高度可移 动性成为发展的必然趋势，推动了整机的微小型化．而作为组装整机的基础元器件，向轻、 薄、微小型的发展势在必行．要实现此趋势的首要条件是寻找高￡的介电材料系统．另一方 面，随着电子设备的数字化、高频化、有源网络也向着小型化、多功能化的方向发展，电磁 干扰(Electromagnetic 化．利用电容器抑制电磁干扰是最常用、最简单的方法．目前用在EMI中的电容器可分为 高，因此研制具有高介电常数低损耗的NPO系统不仅可以使整机不断小型化，同时还可有 效提高整机的抗高频电磁干扰能力． 统．由于该系统具有异常高的介电常数忙400)，并且烧结温度低(1100。C左右)，这些特点 X 已经逐渐引起了人们的重视，但是系统的缺点是损耗较大(t961810“)吼本文以高介 (Ag+)形成ANNT系统，从而有效降低ANT系统的损耗，并且保持较高的介电常数，使其 更好的满足NPO性能要求． 2实验与测量 收稿日期：2003 11—13，收到修改稿日期；2003—12—29 基金项目t国家自然科学基金 COm 作者简介；李玲霞(1966一)，女，博士·副教授．E-mail：liJingxia@eyou 万方数据 无机材料学报 19卷 后将所得试样表面涂覆银浆，经800。C烧渗制备电极以备测试． Multi KEER 6425测试仪器和GZ-ESPECMC一710P高低 品的介电常数．用WAYNE Bridge 温循环温箱，测量不同温度下样品的电容量，完成样品温度特性的测试．利用ZC36型超高 电阻测试仪测量样品的绝缘电阻，利用公式P，=墨学5计算材料的体电阻率Pv．用X-650型 扫描电子显微镜对瓷片样品进行形貌分析，DMAX／RC型x射线衍射仪进行物相结构分析 (Cu靶、Ka谱线、Ni滤波片)． 3结果和讨论 3．1掺杂Na+对ANT系统损耗的影响