强磁场条件制备ZnO纳米线的研究.pdfVIP

第40卷 增刊l 稀有金属材料与工程 C01．40，Suppl．1 2011年 6月 RARE-衄1：ALMATERIALSANDENGnqEER圳G June201l 强磁场条件制备ZnO纳米线研究 申彩霞，李梅，刘伟 (清华大学，北京100084) 摘要：采用真空蒸镀方法制各金属zn膜，在不同磁场强度(O1-8T)条件下高温氧化金属zn膜生长了ZnO纳米线， 用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的表面形貌，用x射线衍射方法(XRD)研究了样品的晶体结构，分析表明磁场 对ZnO纳米线的形貌有影响。用室温光致发光谱(PL)研究了ZnO纳米线的光谱性质，结果表明ZnO纳米线的绿光发 射与制各样品时磁场强度相关。论文研究表明在磁场条件下制备的ZnO纳米线，其形貌和发光性质都受到制备条件的 影响。 关键词：ZnO纳米线；强磁场 中图法分类号：047 文献标识码：A 文章编号：1002．1853[(2011)S1．116．03 ZnO是具有六方纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半 米线。金属Zn膜和ZnO纳米线的形貌采用扫描电镜 导体材料，室温下禁带宽度为3．37eV。与GaN相比， (SEM)表征，晶体结构采用X射线衍射分析(XI①) ZnO具有更高的激子复合能和良好的热稳定性和化学 方法表征，ZnO纳米线的发光特性采用室温光致发光 稳定性，因此在光电、压电等领域都具有优异的性能。 谱(PL)表征。 ZnO在可见光区域有较大的透光率，是制备短波长发 2结果与讨论 光器件的理想材料。ZnO作为一种新型的宽禁带半导 体，已经受到材料、能源和信息等领域的广泛关注。 2．1表面形貌 一维的ZnO纳米线结构由于具有特殊的量子尺寸 扫描电镜表征了真空蒸镀Zn膜的表面形貌，XRD 效应、界面效应和量子限制效应，在电学和光学等方面 分析了Zn膜的晶体结构，见图1。 具有许多与ZnO薄膜材料不同的性能，在低压和短波 图la显示真空蒸镀的Zn膜表面是堆积的片层状 长光电子器件领域具有潜在的应用价值。有研究发现用 Au作催化剂采用不同方法生长出的ZnO纳米线，具有 hZnO 很强的紫外发光特性【1】和高C．轴取t2j。强磁场条件下纳米线开始在片层状晶体表面生长，450℃生长的纳 制备材料，能够无接触的传递能量，有研究表明在不同 米线直径约50nm，600℃氧化时ZnO纳米线很短， Zn在600℃有融化迹象，见图2。 磁场方向蒸镀zn薄膜【31，可以控制Zn薄膜的取向；在 强磁场条件制备超导薄膜【4】，不仅提高了薄膜的C轴取 从图2可以看出，375℃氧化6h后在Zn片层上 h 向度，还增加了薄膜临界电流密度。在磁场条件下制备 生长出类似纳米棒的结构，温度提高到450℃氧化6 的v205纳米棒的发光性质研究【5】中发现，磁场的强度后，片层状Zn全部生长成ZnO纳米线。我们认为ZnO 和取向对材料中的缺陷密度有影响。 纳米线的生长与Zn针尖高温退火生成枝状ZnO纳米 结构【6】原理相似，在高温下zn表面氧化生成ZnO层， 1 实验 内部的Zn与氧被阻隔不能继续氧化。在片层状Zn表 ZnO纳米线采用高温氧化金属Zn膜的方法制备。面的ZnO层有应力分布，随着氧化过程进行，ZnO向 首先在真空蒸镀设备中，金属Zn(99．9％)作为蒸发边缘位置迁移释放应力，内部的Zn继续氧化，最终 源，清洗干净的玻璃片作基片