纳秒脉冲下高能量快电子逃逸过程的计算.pdfVIP

第55卷第11期2006年11月 物 理学报 1000．3290／2006155(11)／5964．05ACTAPHYSICASINICA ⑥2006 Chin．Phys．Soc． 纳秒脉冲下高能量快电子逃逸过程的计算* 邵 涛1’2’+ 孙广生1’ 严 萍1’ 谷 琛1’2’ 张适昌1’ 1)(中国科学院电工研究所，北京100080) 2)(中国科学院研究生院，北京100049) (2006年1月19日收到；2006年2月13日收到修改稿) 基于快电子的逃逸击穿机理将是一种能解释纳秒脉冲高过电压倍数下气体放电现象的理论，对高能量快电子 的逃逸运动、碰撞电离引导电子崩的发展等进行了分析，并根据电子能量与阻力关系式，对电子的俘获或逃逸过程 进行了计算．结果表明外加场强越高，更多的电子能逃逸，逃逸的能量阈值越低，气压对电子的逃逸过程影响也较 大．同时也定性描述了纳秒脉冲下逃逸击穿放电过程． 关键词：气体放电，快电子，逃逸击穿，纳秒脉冲 PACC：5280，5150 量的热电子，提出了“两组模型”(two．groupmodel)， 1．引 言 并认为基于快电子的逃逸击穿可以解释Townsend 放电范围外的放电过程归o．最近Gurevich针对大气 经典Townsend理论和流注理论是研究气体放压下宇宙射线等产生的高能量电子用逃逸击穿理论 电机理的基础，一般Townsend放电理论适用于解释对雷电放电机理进行了与传统的先导放电理论不同 过电压倍数20％的放电过程，在这一范围内的放 的解释n0|．目前这一范围内的放电机理认识仍不 电机理主要是考虑低气压下的碰撞电离及阴极了过 够，本文在相关文献的基础上，对高能量电子在放电 程；过电压倍数在20％一2，3倍时，流注放电机理适过程中的作用，及运动轨迹等进行理论分析和数值 用，除碰撞电离过程还考虑了空间电荷效应及光电 计算． 离¨1。，流注机理对过电压倍数的上限并没有给出 明确的定义．过电压倍数超过2，3倍的气体放电机 2．逃逸击穿理论分析 理仍未定论，不少研究认为放电由高能量电子逃逸 击穿主导，纳秒脉冲下气体击穿也属于这种情况． 与Townsend碰撞电离理论不同，流注机理强调 Fletcher在l／lln级间距的平板电极纳秒脉冲击空间电荷电场对放电过程的影响．空间电荷是光子 穿实验结果符合流注机理Ho；Felsenthal等提出用一出现、二次电子崩产生、流注形成、气隙击穿的重要 种改进的微波击穿理论来解释纳秒脉冲气体放 因素，空间光电离在流注机理中起着很重要的作用． 电¨。；由于一次电子崩发展到临界时所需的时间甚 通常激发光子的时间为10一一10“S。6J，如果电子崩 发展到临界值的时间小于它，光电离强度不够，则很 至可能小于激发光子所需的时间，Mesyats等考虑到 electron)，难使流注发展．纳秒脉冲击穿也会遇到这个问题，一 强电场下的放电能产生逃逸电子(runaway 提出了电子崩链的理论¨。；Babich等提出的电子倍些研究认为电子崩发展到临界后的二次电子不再依 增理论，指出“局域击穿模型”(10calmodel)和“非局靠空间光电离产生，而是由电子崩头部的高能量快 域模型”(nonlocalmodel)n’8]，传统的放电属于前者，电子逃逸电子崩后的碰撞电离和伴随的轫致辐射产 而高过电压倍数下纳秒脉冲放电属于后者； 生一o，这种方式比多次复合和光电离更加迅速有效． Kunhardt等进一步深化了逃逸电子在放电过程中的快电子的逃逸发展涉及到两个关键参数：电子崩发 作用，考虑到电子崩中存