纳米VO2薄膜的制备及其可见光透过率的改善.pdfVIP

第硝卷第3期 红外与毫米波学报 V01．25．No。3 2006年6月 J．InhredMillim．Waves June．2006 文章箱号：100l一9014f2006)03—0199一04 纳米V02薄膜的制备及其可见光透过率的改善 沈楠1，李毅112，易新建1’3 3．华中科技大学图像识别与人工智能研究所，湖北武汉430074) 摘要：阐述了一种纳米vO：薄膜材料新型结构的制备方法．先用反应离子束溅射和退火工艺在玻璃基底上制备出 具有相变特性的薄膜．HRl匝M及xRD显示这种薄膜含有纳米量级的V0：颗粒，四探针测试电阻温度关系表明该 类材料相变温度已经靠近室温，变化温度下测得的红外透过曲线表明该材料在相变前后具有良好的红外光开关特 性．再针对该薄膜材料较低的可见光透过率，提出si0：减反膜设计，取得了较好的实验藏果为开展vq薄膜材料 在智能窗类光电产品的应用研究打下了基础 关键词：二氧化钒薄膜；相变；离子束溅射；智能窗 中囤分类号：TB38l：删3文献标识码：A Hm咣TIoNoF F几MSwITH AND V02 玎讧PROVEMENToNITSⅥSIBLE SHEN U YI N8n1， Yil一， Xjn‘iaIll’3 0f (1．Deploptoelec啪nicEngineedng，HusT，wuh粕430074，clli眦； 2．Dept．ofcom“science＆Engimed“g，HU盯，Wuh明430074，Cbina； 3 InstiIuefor Pattem胁。驴ition蛐d lo 0f Abstra吐：A啪thodnew themlochmmiemmsmatedalwas ionbeam d。pos“aco—igllration V02 de8cribed，By8put把- a11d mm8 ontothe sIibstrateshdw d“g aIlneali“gin”山lcdve帅bient，V02grown 91ass aⅡ＆bmPtpha8e虹邮f0瑚adon are 11nder fo叫ld HRlEM卸dxRD NaⅡo呲te卜sc扎V02夸血s observat№F0ur．叫ntlestsh0雠‰t血e矗lms’Ph蚰e 咖sition h船sh讧tedtowardsroom I舱蹯ured蚴di丘盯eⅡt als0肿 temperature temPera“l”．The嘶smh切mces temperatu砷s Yeal at thatⅡle瑚teddowns旺oeUent toi—bred c血icaltmn酝石on switchingresponse light t既叩emtI鹏．Adesi印0fsi02 舡ti—refee±ion 18usedto ldw obi出nsa result coa￡ing imp∞vevisihleⅡansmi№nce《￡11e删ms，whichs撕d；i“g i“唧出- mems．hiBahsic i