亚微米晶X7R钛酸钡陶瓷微结构控制与性能的研究.pdfVIP

第34卷 增刊1 稀有金属材料与工程 Vol 34，Suppl．1 2005年 6月 RAREMEIALMATERIALSANDENOINEERⅡqGJune2005 亚微米晶x7R钛酸钡陶瓷微结构控制与性能的研究 马超，王晓慧，陈仁政，文海，李龙土，桂治轮 (清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京1000841 摘要：对纳米／亚微米晶x7R钛酸钡陶瓷微结构控制与性能进行了系统的研究。尝试通过两段法烧结技术控制陶瓷的 微观结构，制备出纳米／亚微米晶的BaTi03基符合x7R标准的陶瓷材料。利用sEM和介电频谱等试验手段，对材料的 组成、显微结构、介电性能等进行了分析。两段法烧结制各的BaTiO，基x7R抗还原陶瓷材料具有以下技术指标：室温 相比，所制各的陶瓷具有细晶、致密、粒度均匀和高的介电性能等特点。 关键词：x7R；抗还原；掺杂；两段法烧结；介电性能 中图法分类号：PB321 文献标识码：A 文章编号：1002一185x(2005)s1．102l一04 1前言 2实验方法 近些年，随着3c(computer，communication，基料选用山东国腾公司水热法制备的100nm consumer Electronics)产业的不断发展，带动了多层 cer啪ic 陶瓷电容器(MultiIayerCapacitors，MLcc)分析纯)等进行掺杂。将初始粉体于空气中，950℃下 技术的飞速进步。其中，x7R型多层陶瓷电容器是多 层陶瓷电容器家族中较大的一族，约占总产量的40 ％，其性能要求很高，而且x7R型以BaTi03为基料，5号的稀土含量一样，但是减小了si02的量。使用去 不含铅，对环保和人类的身体健康无害【”。因此在环 离子水做介质，使用zr02小球将混和料混和均匀，烘 保意识逐渐提高的今天，它比其它类型的多层陶瓷电 干后，采用于压成型方法，在粉料中加入适量成形剂(3 容器更受到全世界的重视。x7R电容是一种典型的低 频热稳定元件。根据电子工业协会EIAfELECTRONIc 片在还原气氛(N：，H2混合气)下使用两段法烧结成瓷。 INDusTRJEsAssOcJATION)标准，x7R标准规定在对陶瓷片表面及断面进行扫描电子显微镜(sEM JEoL 芦55℃~+125℃范围内电容的温度变化率 Coemcient (T砸perature ofCapacitance，TCC)不超及结构。样品片的两个表面烧上银电极。使用惠普阻 过±15％。 抗分析仪(HP4192ALF)，测试频率为lkHz，测试电 mean 作为基料的钛酸钡，其粉体的性能对制各的电介 压为1vrms(均方根：rootsquare)，在“0℃～ 质性能以及最终的成品器件的性能有着决定性的影 +150℃温度范围内，测试陶瓷片的介电性能曲线，即 响。一般来说，钛酸钡陶瓷晶粒尺寸的大小很大程度 ￡．r曲线。 上决定了其最终的电性能。 3实验结果 本实验研究的x7R钛酸钡陶瓷是可以使用贱金 属Ni内电极的抗还原型陶瓷材料。通过使用预烧过的 3．1介电性能 水热法合成的钛酸钡粉体制备x7R型陶瓷材料，在烧 图l显示的是j当两段法烧结的两个温度点分别 结过程中使用两段法烧结控制最终的晶粒大小，研究 了对钛酸钡陶瓷微结构的控制及其对介电性能的影 样品的介电性能。表1为烧结