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烟台大学机电学院 微机原理与接口技术－－基于IA-32处理器和32位汇编语言·第4版 第1章 微型计算机系统 5.0 概述 存储器是计算机的重要组成部分，有了它，计算机才有记忆功能，把程序和数据存入存储器，即存储程序的概念，使计算机能自动地工作。 存储器的存储容量越大,存取速度越快,计算机的运行速度就会越快. 5.1 半导体存储器基础 存储器可分为内存储器和外存储器两大类. 内存储器简称内存,外存储器简称外存,是计算机的一种重要外部设备. PC机存储器的层次结构 高速缓存（Cache）(内存-高速缓存-CPU) 完全用硬件实现主存储器的速度提高 主存储器(内存条) 存放当前运行程序和数据，采用半导体存储器构成 辅助存储器(外存储器) 磁记录或光记录方式 磁盘或光盘形式存放可读可写或只读内容 以外设方式连接和访问 一个小的单片机系统可以没有外存,但一定有内存. 5.1.1 半导体存储器的分类和作用 名词 RAM (random access mem.) ROM (read only mem.) Static/dynamic RAM PROM (programmable rom) EEROM (electrically erasable prom) 1.RAM RAM Random access memory 又称为读/写存储器,工作时信息可读可写.RAM可以用来存储实时数据,中间结果,最终结果或作为程序的堆栈区使用. 分为静态RAM和动态RAM(存储容量大PC机用) 2. ROM ROM中的信息不因停电而消失,因此又称为非易失性Non-Volatile存储器,主要用来存储固定程序,常数和表格等. 以特定方式写入,工作时只能读不能写. (以下内容不要求) 5.1.2 半导体存储器的技术指标 1. 存储容量 主存存储容量：以字节B（Byte）为基本单位 半导体存储器芯片：以位b （Bit）为基本单位 存储容量以210＝1024规律表达KB，MB，GB和TB 厂商常以103＝1000规律表达KB，MB，GB和TB 存储容量=字数*字长 2. 存取速度 存取时间：发出读/写命令到数据传输操作完成所经历的时间 存取周期：两次存储器访问所允许的最小时间间隔 半导体存储器的技术指标(续) 3.存储器功耗 4.可靠性和工作寿命 5.集成度 6.其他,如成本等. 5.1.3 以下不要求 5.2 只读存储器ROM ROM是非易失型存储器，掉电时不会丢失。在运行时只能读出，不能写入，通常用来存放固定的程序，如监控程序、汇编程序等。(AT89C51单片机内部集成FLASH EPROM) ROM的主要类型 MROM（掩膜mask ROM） 采用掩膜工艺直接制作,不可更改，只适合存储固定程序和数据。(批量生产) OTP-ROM（一次性编程ROM） 允许用户进行一次性编程(写入后不能更改) EPROM（可擦除可编程ROM） 紫外光擦除、并可重复编程的ROM。 用编程器写入信息，重写前，使用紫外线灯制作的擦除器照射20min左右，使存储器复原。EPROM芯片的上方有一个石英玻璃窗口，当用紫外线通过此窗口照射时，电路中浮空硅栅上的电荷会形成光电流泄漏走，使电路恢复到初始状态，即把写入的信息擦去。 ROM的主要类型(续) EEPROM（电擦除可编程ROM） 擦除和编程（擦写）通过加电进行 特点是能以字节为单位擦除和改写，而且不需要把芯片拔下插入编程器编程，在用户系统即可进行。 Flash Memory（闪速存储器） 新型的电擦除可编程ROM 快速擦除整片(块)数据块 是高集成度、低成本，高速，应用灵活的新一代只读存储器。 5.2.4 ROM举例 Intel 2764是8K*8位的存储容量. (2)引脚功能(28条) 1)地址输入线 A12-A0, 8K容量需13个地址线(与P2,P0口+锁存器相连 2)数据线O7-O0, 双向数据线,正常工作时,传送读出的数据或程序,在编程时传送需要写入的编程代码 3)控制线(3条) 片选输入线/CE 低电平选中本片工作 编程输入线/PGM,正常工作时输入高电平,编程时输入一个50ms宽的负脉冲 允许输出OE,低电平有效,高电平时,数据线为高阻状态. 引脚功能(28条)(续) 4)电源及其他 VCC +5V(正负10%),GND VPP 接+5V,2764处于正常工作状态,接21V时处于编程状态. NC not connect 空线/空引脚 (以下不要求) 5.3 随机存取存储器RAM 5.3.3 RAM举例 6264的引脚功能(28条) 6264,62128,62256都是28引脚的SRAM,可公用一个插座. 6264的引脚功能 1,地址线A12-A0(13条) 输入 2,数据线D7-D0(8条),双向数据线 3,