EPIR其制备方法说明书1112.docVIP

说 明 书 EPIR效应电阻式非易失性随机存储方法本发明涉及随机存储电阻式随机存储方法2000年美国Texas超导和空间外延中心报道了具有钙钛矿结构的Pr1-xCaxMnO3(PCMO)薄膜室温下电阻对电脉冲信号产生灵敏反应，其开关效应能长久保持．其后，日本和其他一些实验室也对电脉冲信号的开关效应进行了深入的实验研究，发现在其他一些钙钛矿结构氧化物或有机材料中也有类似的效应．在室温和不加磁场情况下，当持续时间为100 ns的正脉冲电压加在PCMO薄膜上，样品的电阻值急速下降表现出低电阻状态(R=Rmin )，并能长久稳定保持因电脉冲诱导的电阻状态．当反向施加脉冲电压，电阻转变为高阻态(R=Rmax)．这种可逆的高低阻的相对改变值为电脉冲引起的现象为EPIR效应（EPIR，Electric-pulse Induced resistance switching）。由于PCMO薄膜具有EPIR效应，使其相应的I-V 关系曲线中出现了明显的迟滞现象。近年来的实验研究表明，这种室温下电脉冲导致的电阻值变化转变速度快，可逆，非易失，并且薄膜尺寸可以做的相当小，满足新一代高密度，高速度和低能耗存储器件的要求，引起了人们的极大兴趣。 但是，目前具有EPIR 效应的体系材料较少，大多局限于PCMO（Pr1-xCaxMnO3） 体系和LCMO（La1-xCaxMnO3）体系（其中绝大多数研究集中于x = 0.3 组分）。研究表明，EPIR 效应可能相当复杂，涉及了Re1-xAxMnO3材料的本征电输运性质以及电极与薄膜接触形成的势垒在外电场作用下的变化等领域。要完全解释这个现象的物理机理，还需要进行大量的研究。而以EPIR 效应为基础制作RRAM器件的困难也在于具有这一性质的材料体系较少，使得在器件化时缺少可选择性，对规模化应用具有很大的限制性。 中国专利200810036885.5公开了用溶胶-凝胶法制备非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料及方法Re1-xCexMnO3，式中0＜x＜1，ReCe均为稀土离子随机存储器Re1-xAxMnO3,其具体通式为：Nd1-xSrxMnO3，0＜x＜1＜＜＜＜＜＜随机存储方法分别将99.99% 稀土氧化物、99% 碳酸盐、97.5% MnO2的各组分氧化物进行干燥化学计量比称取干燥后的，并充分混合研磨均匀充分混合研磨均匀900 ℃下进行预烧，自然冷却到室温后取出，再次充分研磨在12 Mpa压力下压成厚度 mm，直径1 mm的圆片在130～1400℃烧结12小时，然后随炉冷却取出后，再次充分研磨充分研磨均匀在4 Mpa压力下压成，然后在1400烧结12小时，然后随炉冷却取出。随机存储电阻式随机存储器薄膜材料磁控溅射技术电阻式随机存储器薄膜材料随机存储图测试平台结构示意图分别将在00℃、00℃进行干燥。按化学计量比称取干燥后的99%）、99.99%) 和MnO2（9.5%），并充分混合研磨均匀， 900下进行预烧，自然冷却到室温后取出，再次充分研磨，在12 Mpa压力下压成厚度约2 mm，直径13 mm的圆片，然后在1350烧结12小时，然后随炉冷却。取出后，再次充分研磨，在4 Mpa压力下压成长宽高大约×4×3 (mm)的方体，然后在1400烧结12小时，然后随炉冷却取出。分别将在00℃、900℃、400 ℃进行干燥。按化学计量比称取干燥后的99.99%）、99.99%) CaCO3 (99%)和MnO2（9.5%），并充分混合研磨均匀， 900下进行预烧，自然冷却到室温后取出，再次充分研磨，在12 Mpa压力下压成厚度约2 mm，直径13 mm的圆片，然后在1350烧结12小时，然后随炉冷却。取出后，再次充分研磨，在4 Mpa压力下压成长宽高大约×4×3 (mm)的体，然后在1400烧结12小时，然后随炉冷却取出。室温X射线粉末衍射实验XRD)是在日本理学RigakuDMax 2500型衍射仪上完成的，该衍射仪采用的是Cu靶Kα辐射和石墨单色器。数据收集采用的是步进方式，步长为2θ= 0.02°，每步收集时间为1s，收集范围20° ≤ 2θ ≤ 80°。系列样品均为单相。电阻测量是用标准的在电输运性质测量系统上完成的。 我们的测试平台主要采用了美国Keithley公司2400表和美国Lakeshore公司的温度控制仪和美国Janis公司封闭循环低温制冷器（CCR）系统。具体结构示意图如：目前测试系统主要能较宽范围下恒定电流负载和恒定电压负载下电阻随温度变化（即RT）曲线，IV特征曲线和磁场下的RT曲线。这些是测量钙钛矿型锰氧化物CER、CMR等特性的主要分析曲线。而我们选用的美国Janis公司封闭循环低温制冷器（CCR）系统在不损耗任何制冷的条件下，利用绝热放气膨胀法得到10K500K的温度范围，几