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电子科技大学成都学院 功率集成电路 模拟试题 （120分钟） 开卷 考试时间： 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评卷教师 选择题(共20分，共10个空， 每空2分) 1．下面哪些高压器件在集成的时候，不能可采用自隔离技术（ ） A．VDMOS B. LDMOS C.LIGBT D.横向PIN二极管 2. 判定雪崩击穿的条件是（ ） A. 电子碰撞电离率为1; B. 空穴的碰撞电离率为1; C. 电离积分为1; D. 雪崩倍增因子为1. 3. 在以下的终端技术中, 哪个技术对平面结的耐压提高最显著( ) A. 场板, B.浮空场板, C. 场限环 D.横向变掺杂 4. 为提高高压IGBT器件的中, 基本不影响器件的导通电阻的因素是( ) A. IGBT的基区长度 B. IGBT的基区浓度, C. IGBT发射区浓度 D. IGBT的沟道长度 5. 下面哪些功率变换器种类哪类用于既能完成升压也能减压使用 ( ) A.Buck B.Boost C. Cuk D.Buck-Boost 6. 在分析理想功率变换器电路的稳态工作时候, 在一个周期内哪个物理量的不相等( ) A.周期起始电感电流和周期结束时电流, B. 前一个周期的电感平均电压和本周期内的电感平均电压. C. 输入功率和输出功率 D. 周期起始时电感上的电压和周期结束时电感上的电压. 7. 对于未知的某种功率变换器, 在电流连续的工作条件下, 如果他的输出电压和输入电压的比为1/(1-D), (D为占空比), 则平均的输出电流和平均输入电流的比为( ) A. 1-D B. 1/D C. D D. 1/(1-D) 8. 两边都是低掺杂的PN结. 其击穿主要呈现( ) A. 热击穿 B.雪崩击穿 C齐纳击穿 D.不会击穿 9. 在功率集成电路中， 隔离技术有多种. 依靠反偏的绝缘材料形成隔离是( ) A.自隔离 B. 结隔离 C.介质隔离 D.半隔离 10. 平行平面结的耐压一般( )平面结耐压 A. 高于 B. 等于 C.低于 D. 可高可低 二. 简答题 (共25分，共5题， 每题5分) VDMOS的导通电阻由来几部分组成，请用图标出. 试比较理想功率MOS开关和实际功率MOS开关的差异. 比较IGBT和VDMOS在结构和电学特性上的差异, 说明造成电学上差异的原因. . 在boost功率变换器中, 如果将电容的值取得很小, 变换器输出将有何变化? 两个平面结A和B, A平面结的结深较B平面结的结深深, 问题A平面结和B平面结谁的耐压高? 并说明其中的物理原因. 三.（15分）请计算以下器件的耐压. 其中: W=60μm, N-=5e13 cm-3, N=1e17 cm-3, Ec=2.5e5 V/cm，q=1.6e-19库仑，， （15分）对于工作于电流连续模式下的Boost变换器有如下参数: Vd=12V, L=250μH, RL=20ohms C=470μF fs=20KHz D=0.7 (1) 计算输出电压. (2) 确定电感电流, 作图给出电感电流的变化情况. (3) 计算输出电压的纹波. (10分)根据RESURF原理，如果N外延的厚度为5μm, 1.计算满足RESURF条件的N外延浓度；2. 如果设计要求器件耐压为600V, 请P衬底的浓度应为多少? Ec=2.5e5 V/cm （15分）连续工作模式下, 证明Cuk电路的输入电压Vd和输出电压Vo, 与控制脉冲的占空比D之间的关系为: 系别 班次 学号 姓名 . ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 1 页 共 6页