03_第三章_太阳电池基础1.ppt

太阳电池发展史 半导体材料与理论 硅片的生产 太阳电池原理 太阳电池工艺 太阳电池理论分析 太阳电池的表征 太阳电池分类 太阳电池的发展 第一节 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 太阳电池发展史 预计未来世界太阳 预计未来世界太阳 中国太阳能发电发展史 中国太阳能发电发展史 中国太阳能发电发展史 第二节 能带理论 电子共有化 电子共有化 电子共有化 电子共有化 电子共有化 能带的形成 能带的形成 能带的一般规律 能带中的电子排布 能带结构 能带结构 电子在能带中的填充 电子在能带中的填充 能带理论 电子在能带中的填充 电子在能带中的填充 导体、绝缘体、半导体 导体、绝缘体、半导体 导体的能带结构 导体的能带结构 导体的能带结构 绝缘体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构v 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 半导体的能带结构 P-N结 P-N结 P-N结 P-N结 P-N结 P-N结 P-N结 P-N结 P-N结 P-N结 P-N结 P-N结 P-N结的单向导电性 P-N结的单向导电性 P-N结的单向导电性 P-N结的单向导电性 P-N结的单向导电性 P-N结的单向导电性 P-N结的单向导电性 P-N结的单向导电性 半导体的导电特性 半导体的导电特性 半导体的导电特性 半导体的特性应用 半导体的特性应用 半导体的特性应用 半导体的特性应用 半导体的特性应用 半导体的特性应用 半导体的特性应用 半导体的特性应用 半导体的特性应用 半导体的特性应用 半导体的特性应用 半导体的特性应用 半导体的特性应用 光生伏特效应 太阳电池材料 太阳电池材料 太阳电池材料 太阳电池材料 第三节 硅材料 硅材料 硅材料 硅材料 硅材料 硅中杂质的行为 硅中杂质的行为 太阳级硅质量的评价 沙子变黄金 金属硅 金属硅 金属硅 金属硅 高纯硅的生产 多晶硅 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 多晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 单晶硅的生产 硅片生产工艺 硅片生产工艺 硅片生产工艺 硅片生产工艺 硅片生产工艺 硅片生产工艺 硅片生产工艺 熔区的稳定性常用最大熔区来表示，在熔区半径r与长度相似的前提下，海旺(Heywang)等人理论分析得到： 在实际生产中，硅区熔单晶系统常使用高频加热，还有一项电磁场的作用力叫磁悬浮力，它与表面张力一样，对熔区起托浮作用，结果使熔区的稳定性增大很多，因此，Lmax 远远大于海旺的计算值。 式中，A为常数，对于硅A≈2.8。由上式可见， ?大、?小时，Lmax 大。 样品的熔化部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。柱状的高纯多晶材料固定于卡盘，一个金属线圈沿多晶长度方向缓慢移动并通过柱状多晶，在金属线圈中通过高功率的射频电流，射频功率技法的电磁场将在多晶柱中引起涡流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得多晶柱紧邻线圈的部分熔化，线圈移过后，熔料再结晶为单晶。另一种使晶柱局部熔化的方法是使用聚焦电子束。整个区熔生长装置可置于真空系统中，或者有保护气氛的封闭腔室内。 区熔生长技术的基本特点： 为确保生长沿所要求的晶向进行，也需要使用籽晶，采用与直拉单晶类似的方法，将一个很细的籽晶快速插入熔融晶柱的顶部，先拉出一 个直径约3mm，长约10～20mm的 细颈，然后放慢拉速，降低温度放 肩至较大直径。顶部安置籽晶技术 的困难在于，晶柱的熔融部分必须 承受整体的重量，而直拉法则没有 这个问题，因为此时晶锭还没有形 成。这就使得该技术仅限于生产不 超过