MOS器件物理基础考点.pptVIP

共栅放大器的输入电阻 RDIX+r0[IX-(gm+gmb)VX]=VX 若λ= 0，Rin=1/ (gm+gmb)，输入呈现低阻抗特征 RD 减小了(gm+gmb)r0倍！呈现出阻抗变换特性！ 共栅放大器的输出电阻 RS为信号源内阻 共栅放大器的输出电阻很大，约为r0的[1+(gm+gmb)RS ]倍! 理解这一点是理解共源共栅电路的基础。 共栅放大器的增益AV 例：求下图电路的AV(假定λ=0) M1的小信号电流gm1Vin被Rp和向M2源端看进去的阻抗1/(gm2+gmb2)分成两部分，故： 因Vout=ID2RD，所以： 恒流源负载的共源共栅放大器 理想恒流源如何近似产生？ 共源共栅结构的屏蔽特性(1) 左图中M2、M4均工作在饱和区，若A点电压变化△VA，求△VB=？ 易见，因共栅管M4的引入B点电压的变化量比A点减小了(gm4+gmb4)r04倍, 即M4将B点屏蔽了。 基本差动对 Vin1-Vin2足够负, M1截止, M2导通 Vin1-Vin2足够正, M1导通, M2截止 Vin1-Vin2相差不大时, M1和M2均导通 Vin1=Vin2 时,小信号增益(即斜率)最大 △Vin * 基本差分对的共模特性 Vin,CMmin 为保证M1和M2饱和, Vin,CMmin=?, Vin,CMmax =? 当VP≤Vb-VTN时, M3工作在线性区,等效于一个小电阻 * 基本差分对的共模输入范围 (M3饱和要求) (M1饱和要求) ISS * 差动对小信号差动增益与共模输入电平的关系 VinCMmax VinCMmin 产生ISS的MOS管线性 M1和M2线性 * 差分放大器的增益 同单级CS放大器的增益 漏极电流和Gm随输入电压变化曲线 * 差分对的小信号特性(3) (VX-VY ) |Vin1=?Vin=-gmRD ?Vin 因电路对称,故除了极性相反外,Vin2在X和Y点产生的作用和Vin1效果一样: (VX-VY ) |Vin2=-?Vin=-gmRD ?Vin Vin1和Vin2共同作用时, (VX-VY )的增益为: * 例4.6 共模输入电压变化带来的影响 左图中用一个电阻来提供1mA的尾电流,已知(W/L)=25/0.5, ?nCOX=50?A/V2,VT=0.6V, ?=?=0, VDD=3V。求： 如果RSS上的压降保持在0.5V,则输入共模电平＝? 计算差模增益等于5时的RD＝？ 3. 如果输入共模电平比(1)计算出的值大200mV，则输出如何变化? 因ID1= ID2=0.5mA，故： ? VinCM＝VGS1+VRSS＝1.23+0.5＝1.73V 因 , 所以AV=5时, RD＝3.16K?, 此时 当VinCM增加200mV, 则|?VX,Y|= ?VinCMRD/(2RSS+1/gm) ?0.4V VX=VY=3-0.5*3.16=1.42V 此时,Vd=1.42-0.4?1.02V, Vg=1.73+0.2=1.98V, M1(2)已进入线性区。 * 基本差分对输入对管失配时的共模响应 (gm1+gm2)(VinCM-VP)RSS=VP 等效跨导Gm 共模到差模的转换量 * 基本差分对的共模抑制比CMRR 若只考虑gm的不匹配，左图中: 假定Vin1 ＝- Vin2 ，则有: 上式中,gm=(gm1+gm2)/2 * MOS负载的差分放大器 半电路 半电路 * 基本电流镜的误差 电流镜中所有MOS管取相同的沟道长度L，以减小源漏区边缘扩散(LD)所产生的误差。 Iout如何精确复制Iref? MOSFET的跨导gm C1:栅极和沟道之间的氧化层电容 C2:衬底和沟道之间的耗尽层电容 C3,C4栅极和有源区交叠电容 C5,C6有源区和衬底之间的结电容 2) VGS VTH VDS VGS – VTH深三极管区 MOS 低频小信号模型 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 小信号电阻总结（γ＝0） 对于图（A）： 对于图（B）： 对于图（C）： 例：若W/L＝50/0.5，|ID|＝500uA，分别求: NMOS、PMOS的跨导及输出阻抗以及本征增益gmr0 （tox=9e-9 λn=0.1, λp=0.2 , μ n= 350cm2/V/s, μ p= 100cm2/V/s ） tox=50 ?, Cox?6.9fF/μm2(1 ?=10-10 m, 1fF= 10-15 F) ∴tox=90 ?, Cox?6.9*50/90=3.83fF/μm2 同理可求得PMOS的参数如下：gmP ?1.96mA/V ，r0P ?10KΩ ，gmP r0P ?19.6 模拟电路设计的八边形