半导体器件物理课件.pptVIP

3.求杂质分布的程序 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 在不同反偏压下测量电容： 用（2-7-11）式求出以上不同反偏压下的空间电荷区宽度： 画出 相对 的曲线。 从此 曲线中取 并将其结果代入（2-7-12）式计算出 画出完整的杂质分布 注意：倘若出现高密度的陷阱中心和界面态，如硅中掺金情形，前面的分析必须加以修正，以适应这些荷电的状态。 3.求杂质分布的程序 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 由劳伦斯和沃纳用计算机算出的结果 3.求杂质分布的程序 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 由劳伦斯和沃纳用计算机算出的结果 4.变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 根据 （2-7-3） 可见反向偏置的PN结可以作为电容使用在LC调谐电路中。专门为此目的制造的二极管称为变容二极管。 结型二极管的电容?电压方程可写成 ： 对于单边突变结， ，如式（2-7-3）中所表示。 4.变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 包括一个P-N结电容的LC电路，其谐振频率可表示为 （2-7-13） 在电路应用中，总是希望在谐振频率和控制电压之间有线性关系，也就是说，要求 。 5.学习要求 掌握概念：耗尽层电容、求杂质分布、变容二极管 掌握耗尽层电容公式（2-7-3）、（2-7-11） 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 掌握C－V关系： 公式（2-7-7）及其应用 掌握求杂质分布的概念及求解程序 掌握使用图表2-18求电容的方法 了解变容二极管的应用及其设计原则 PN结在小信号工作时特点：信号电流与信号电压之间满足线性关系， 从物理上说，就是器件内部的载流子分布 的变化跟得上信号的变化。 2.8 PN结二极管的频率特性 器件的频率特性：器件处理连续波时所表现出来的性能。 器件的开关特性（瞬变）：器件处理数字信号和脉冲信号时所表现 出来的性能。（大信号） PN结在大信号工作时特点：I－V特性和C－V特性等都是非线性的。 讨论PN结在小信号工作时，可以把电流、电压以及非平衡载流子的瞬态值表示成直流成分与交流成分的叠加： 小信号条件： （2-8-1） 2.8PN结二极管的频率特性 空穴分布： 1.少子边界条件 （2-8-3） 在PN结边缘N侧 处， （2-8-7） 对于 采用近似： 得： （2-8-3） 式中： 少子的边界条件为: （2-8-11） 2.8PN结二极管的频率特性 在N型中性区，把空穴分布 2.交流少子连续性方程 代入连续性方程： （2-8-4） 式中 得 由于 （2-8-5） 2.8PN结二极管的频率特性 3.交流少子分布 （2-8-14） N区空穴交流分量 对于长二极管（ ） （2-8-13） 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 1.理想的P-N结的基本假设及其意义 1)外加电压全部降落在耗尽区上，耗尽区以外的半导体是电中性的，这意味着忽略中性区的体电阻和接触电阻。 2)均匀掺杂。无内建电场，载流子不作漂移运动。 3)空间电荷区内不存在复合电流和产生电流。 4)小注入，即 5)半导体非简并 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.载流子分布 满足边界条件 解得 解稳态扩散方程 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.载流子分布 对于长二极管 ，上式简化为 PN结P侧的电子分布为 少数载流子分布 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 3.电流分布 对于长二极管，空穴注入所引起的扩散电流为 在空间电荷层边缘 （2-3-8） ，空穴电流为 空穴电流分布改写为 （2-3-9） 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 3.电流分布 （2-3-15） 类似，电子电流分布为 空穴电流分布为 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 3.电流分布 公式（2-3-9）和（2-3-15）指出，由于少子电流沿远离PN结的方向而e指数地减小。因为总电流相对于x来说必定不变，才能满足电流连续性。所以多子电流必须随着x增加而增加，以补偿空穴电流的下降。也就是说，少子电流通过电子?空穴对的复合不断地转换为多子电流。 电子电流和空穴电流： 忽略空间电荷区的复合电流和产生电流，得总电流： ——二极管饱和电流 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 4.PN结饱和电流的几种表达方式(一般是反向饱和电流) 理想PN结饱和电流来源于扩散区内产生的非平衡少数载流子。 （2-3-21） （2-3-