半导体物理与器件1.1——第八章.pptVIP

由此图中可见，在小电流区域，正偏PN结中以空间电荷区复合电流为主，而在大电流区域，则以理想PN结的扩散电流为主。一般情况下正偏PN结的电流为： 其中n称为理想因子，一般介于1和2之间。 问题：理想因子是大了好，还是小了好？ §8.4 结击穿 在上一节的学习中，我们已经知道了在实际的PN结二极管中，正偏电流在一些因素的影响下会偏离理想特性。 而反偏产生电流的存在同样使得PN结偏离反向特性。 在实际的PN结中，反向电流随偏压增大而不饱和，并且在一定的偏压下会发生电流突然增大的现象，这称为结击穿，相应的电压称为击穿电压。 电击穿过程本身是非破坏性的，但必须用外围电路来限制最大电流，避免pn 结发热，热击穿是不可恢复的，是破坏性的。 pn 结电击穿有两种重要的机制：雪崩倍增和隧道效应。 雪崩倍增击穿原理 PN结反向时，外加电场增加了空间电荷区的电场强度。在电场作用下，空穴将向电源负极移动，电子向电源正极移动；当P区的电子向电源正极移动的过程中穿越势垒时，将受到势垒电场的加速。反向电压越高，势垒区中电场越强；若电场足够强，电子获得了足够的动能和原子碰撞，将晶格的共价键破坏，产生一个电子-空穴对，这一过程被称之为碰撞电离。这些新产生的电子-空穴对再从电场中获得动能，进一步产生电子-空穴对，这种连锁过程称之为雪崩倍增。 E Ec Ev 在电场作用下，新产生的电子和空穴会朝着相反的方向运动，于是形成了新的产生电流。新的产生电流叠加在原有的电流上。导致反向电流迅速增大。 其在x=xn处的边界条件仍然为： 而另一个边界条件则需要做适当的修正，通常我们假设在x=xn+Wn处为欧姆接触，即表面复合速度为无穷大，因此过剩载流子浓度为零。由此得到另一个边界条件为： 对于上述关于n型区中过剩少子空穴的稳态输运方程 来说，其解的形式仍然为： 再利用上述两个边界条件，可得稳态输运方程最终的解为： 对于WnLp的条件，我们还可以对上式做进一步的简化，因为此时有： 再利用上述两个边界条件，可得稳态输运方程最终的解为： 由上式可见此时短n型区中过剩少子空穴的浓度呈线性分布。n型区中少子空穴的扩散电流密度为 因此在短n型区中，少子空穴的扩散电流密度为： 由此可见，在短n型区中，少子空穴的扩散电流密度保持不变，即在短n型区中少子空穴的复合作用基本上可以忽略不计。 对于三种可能的n型区长度，下表总结了三种情况下的空穴电流密度表达式，与此类似，对于不同的p型区长度，同样可以给出三种情况下的电子电流密度表达式。 小结 势垒高度和载流子浓度的对应关系?偏压对空间电荷区边界处注入的非平衡载流子浓度的调制?理想pn结电流-电压关系 正偏状态的pn结，正偏电流的大小随正偏电压的增加而指数增加。反偏时趋于饱和 随着温度的升高，反偏饱和电流增大，相同正向电流下的偏压降低 利用温度特性可以制成对温度敏感的二极管，作为温度探测器件。但同时二极管的温度特性要求二极管要正确应用，避免形成温度正反馈导致烧毁 当pn结二极管的中性区长度远小于扩散长度时为短二极管，扩散区缩短，扩散区内的复合作用可以忽略。双极晶体管中的EB结通常就是一个短pn结 §8.2 PN结的小信号模型 小信号 t V 小信号激励下的响应 V I 在正弦小信号电压激励下，输出电流也应当为同频率的正弦信号，其值由该工作点处的小信号导纳所决定 静态工作点 由于二极管的I-V特性是非线性函数，因而只有当输入电压信号非常小的时候，电流增量和电压增量之间才具有线性关系 一般而言，小信号的振幅为几个mV 微分电阻rd反映着电流增量和电压增量之间的关系，即小信号的输入和输出之间的关系 注意，只有当信号足够小的时候，才能将静态工作点处的斜率的倒数等同于增量电阻。 增量电阻又称为扩散电阻 扩散电阻 扩散电容 同理可以求出： 因而总的扩散电容为： 注意：这样求出的扩散电容为单位面积电容，具体电容大小还要乘以PN结的面积 通过扩散电阻和扩散电容的定义，可以直接写出PN结二极管在低频下的小信号等效电路和小信号导纳 其中： 通过求解小信号激励下的双极输运方程，可以求出小信号的导纳为： 通过低频近似： 可以将 从而将小信号导纳化简为： 注意小信号模型只有在低频下才是适用的 当信号周期与过剩少子寿命相比可以相比拟（ 不再成立）的时候，则在有限的时间（信号周期）内，注入的过剩少数载流子还来不及建立稳定的指数形式的扩散分布（达到稳态的时间与寿命τp0有关），因而扩散区内的过剩电荷数量不再满足指数分布，因而扩散电容的数值将发生变化。给出的小信号模型不再适用 在正偏电压下，扩散电容远大于势垒电容 扩散电容和势垒电容都是微分电容 微分电容大小实际反映着改变电压时带来的电荷量变化 对于扩散电容： P.