30 LED加速寿命试验方法的研究.pptVIP

讨论 在制定本标准的过程中进行了多项专题研究，包括芯片封装前后寿命的 对比、导电银浆粘结与共晶焊接的对比、高温存储与高温加电的对比、单一应 力变量（温度）和多应力变量（电流、温度）的对比以及色温漂移摸底等。现 结合试验结果主要从以下几方面加以讨论分析 13.1 失效机理 从失效机理上看，LED裸芯片和其封装产品二者是不一样的。 (1) LED裸芯片的退化除与温度应力有关外，还有电应力的作用，主要是体 内缺陷和离子热扩散和电迁移的物理效应, 热扩散场和电漂移场同时并存，属 于本质失效。 LED芯片的平均寿命高达数十万小时以上,可承受的温度应力大 于200℃ (2) 封装材料(导电银浆、荧光粉胶、环氧树脂、硅胶等)的退化主要是与温度 有关的化学作用, 属于从属失效。封装器件，其平均寿命一般低于10万小时, 而且其耐受的温度因封装材料有很大差异远低于200℃ 。 LED裸芯片与封装器 件的区别主要体现在激活能的数值不同；采用不同的高温存储可以得到封装材 料的激活能。的强度。 (3)在对LED封装产品选取加速试验应力时，可通过高温存储试验进行摸底可确 定最高试验应力。对强度低的封装材料，例如粘结芯片的导电银浆、灌封的环 氧树脂，只能采用较低的温度应力，因而需要较长的试验时间，试验时间不够 则会带来较大的误差。因此LED产品的寿命取决于所用封装材料，应力过大超 出所承受极限强度时将会