第4章根轨迹PPT.pptVIP

a 例4.3 求图示双环系统的根轨迹，分析系统性能与a的关系，并求a＝3/8时，系统的主导极点。 二、多回路根轨迹 系统具有多个反馈环时的根轨迹。 从内到外，逐一绘制，内环的闭环极点是外环的部分开环极点，因此，外环的根轨迹的起点有一部分在内环的根轨迹上。 解 外环的传递函数： ) 8 7 3 ( ) 8 7 3 ( 8 ) ( 2 3 1 2 3 0 + + + = + + + = s s s s K s s s s a s G ： 开环 ＊ 的根轨迹，根轨迹上 K11=8 的地方是外环的部分开环极点。 1.开环极点：0，-1.5±j2.18 ＊ jω σ 0 2 －1 × × × 求 的根较困难，所以，先绘出内环 绘制内环的根轨迹： a ＊ 解得ω=2.64 rad/s，K11=21 3.出射角： ＊ 2.渐近线： ＊ 4.与虚轴的交点： ＊ 用长除法可得下式： 解得另外两个根为：－0.66±j 2.1 外环的开环传递函数的零极点形式为 绘制外环的根轨迹： 1.开环极点：0，-1.67，-0.66±j2.1 用幅值条件，求得s = -1.675 为 K11=8 时的一个根 3.出射角： 2.渐近线： jω σ 0 2 -1 × × × × -2 -2 4.分离点：从特征方程 中解出K1 令K1对s的导数为零，得分离点为：s=-0.87,K1=3.06 5.与虚轴的交点： 令劳斯表第一列、第四行为零，求得K1=11.56，由辅助方程：4.3s2+K1=0，求得交点s=±j1.63 ＊ 用幅值条件试探求得 S1= -1和 S2= -0.74为a =3/8,K1=3时的两个实数根，用长除法降阶后，可得另外两个共轭复数根 1. K111.6,a 1.45系统不稳定。 2. K13.06,a 0.38系统出现超调。 系统不能近似为低阶系统。 rlocus(tf(1,[1 3 7 8 0]))， r=rlocus(tf(1,[1 3 7 8 0]),3), rlocus(tf(1,[1 3 7 8 0]),3) 系统性能： 软实验 ＊ §4—5 正反馈系统的根轨迹 一、正反馈系统的特征方程 传递函数 特征方程 简写为 X(s) G1(S) H(S) Y(s) 二、正反馈系统根轨迹的绘制条件 相角条件 幅值条件 正反馈根轨迹的幅值条件与常规根轨迹相同 正反馈根轨迹的相角条件为相角之和为360°的倍数。 三、 零度根轨迹的绘制规则 把常规根轨迹的绘制规则中与相角条件有关的规则稍作修改就可以用来绘制零度根轨迹。 实轴右边开环零极点的个数之和为偶数，则该段实轴是根轨迹。 2. 渐近线的相角为 3. 出射角、入射角 例4.4 单位正反馈系统开环传递函数为 绘制根轨迹。 解 1.开环极点：s=0;s=-1 实轴上的根轨迹：除(-1，0)外 2.渐近线： jω σ 0 1 × × -1 -1 负反馈 正反馈 负反馈系统的根轨迹与正反馈系统的根轨迹具有一定的互补性 ＊ §4—6 滞后系统的根轨迹 滞后时间为τ的开环传递函数为 闭环特征方程为 令s=σ+jω，即 相角条件 幅值条件 说明： 1.滞后系统有无数条根轨迹，且平行于实轴。其中对系统性能影响最大的是实轴附近的根轨迹。 2.根轨迹起点除开环极点外，还有许多无穷远的起点。 3.根轨迹终点除开环零点外，还有许多无穷远的终点。 4.实轴上的根轨迹与常规根轨迹系统相同。因ω=0 时，相角条件相同。 5.常规根轨迹渐近线的计算方法对滞后根轨迹不适用。 6.分离点满足： 7.出射角、入射角，由滞后系统相角条件确定。 8.与虚轴的交点只能令s=jω，代入特征方程求解。劳斯判据法失效。 近似处理 按下式用常规根轨迹的绘制方法可绘制出滞后系统的近似根轨迹 例4.5 单位反馈系统开环传递函数为 绘制根轨迹，并分析滞后环节对系统性能的影响。 解 幅值条件和相角条件为 实轴上（ω＝0）的根轨迹：s ≤－1，满足相角条件是根轨迹，并且 s ＝－∞和s＝－1（K1＝0）为根轨迹起点。 s＝∞时，只要ω＝±π ，±3π……均满足相角条件，为无数条根轨迹的终点和渐近线。 jω σ 0 jπ －1 × j2π -jπ s＝－∞时，ω＝0，±2 π ，±4 π…。均满足相角条件，为无数条根轨迹的起点和渐近线。 分离点： 与虚轴的交点：令s=jω代入特征方程 jω σ 0 jπ －1 × j2π -jπ j3π K1→∞ 0 ←K1 K1=8 K1=2