10 烧结.ppt

* * * Sr掺杂BaTiO3陶瓷 Y掺杂BaTiO3陶瓷 * 晶粒长大定律： 积分得：D2-D02=Kt ……(10-41) 在烧结后期，D D0，一些氧化物的晶粒生长为： D= Ktn (n=1/2~1/3) D——时间t时的晶粒直径； D0——时间t=0时的晶粒尺寸； 晶界移动速率与弯曲晶界的半径成反比，因而晶粒长大速率与晶粒的直径成反比 * 4．晶界移动速率分析（气孔汇聚在晶界上）： 烧结初期：晶界刚开始形成，本身具有的能量低；晶界上气孔大且数量多，对晶界移动阻碍大。 所以在烧结初期，晶界移动速率Vb=0，不可能发生晶粒长大；如图10-18A。 Vb=0 (A) (B) (C) Vb= Vp Vb＞ Vp 图10-18 晶界移动遇到气孔时的情况 * 烧结中、后期： （1）随着烧结的进行，气孔逐渐减少，可出现晶界移动速率Vb=Vp（气孔移动速率），此时晶界带动气孔同步移动。使气孔保持在晶界上，最终被排除；如图10-18B所示。 图10-19为气孔随晶界移动而聚集在三晶粒交汇点的情况。 Vb= Vp (B) 图10-19 气孔在三晶粒交汇点聚集 * （2）晶界移动推动力大于第二相夹杂物（气孔、杂质等）对晶界移动的阻碍，VbVp，晶界将越过气孔而向曲率中心移动（图10-18C）。结果可能将气孔包裹起来（排除困难），留在烧结体内，影响其致密度。（图10-20） （3）晶界移动推动力小，第二相夹杂物将会阻止晶界移动，使晶界移动速率减慢，以至于停止。晶界移动至平直状态，推动力消失，停止移动。 Vb＞Vp (C) 图10-20 晶界移动与坯体致密化关系 继续升温、烧结初期 * 为了获得致密的烧结体： 烧结中控制晶界的移动速率是重要措施之一；另外可使晶界上形成少量液相，起抑制晶粒异常长大的作用； 随着烧结的进行，当气孔内压力增大至2?/r时，即气孔内气压等于烧结推动力，烧结停止。 * 5．晶粒的极限尺寸与夹杂物的含量及尺寸的关系： 由于夹杂物对晶界移动的牵制而使晶粒不能超过某一尺寸，即晶界移动的推动力与第二相的阻力间的关系——Zener近似关系式： （10-42） DL随d和f的改变而变化，f↑，DL↓； 当f一定时，d↑，则晶界移动时与夹杂物相遇的机会少，DL↑。 DL——晶粒正常生长时的极限尺寸； d——夹杂物或气孔的平均直径； f——夹杂物或气孔的体积分数。 * 烧结初期：坯体内气孔多，f值大，此时晶粒的起始尺寸D0大于DL，晶粒不会长大； 随着烧结的进行，小气孔不断被排除，d↑，f↓，DL↑，当DLD0时，晶粒开始生长； 烧结后期：一般假设气孔的尺寸为晶粒平均尺寸的1/10（DL=10d），则f=d/DL=d/10d=10%，即烧结达到气孔的体积分数为10%时，晶粒长大就停止了。所以烧结坯体的密度低于理论密度。 * 二．晶粒异常长大（二次再结晶） 1．二次再结晶的发生 当正常的晶粒长大被第二相夹杂物阻止后，如果在均匀的基质中有个别大晶粒（边界多，曲率大），晶界可以越过气孔或夹杂物进一步向邻近小晶粒的中心推进（气孔被包裹在烧结体内，影响致密化）。 大晶粒成为二次再结晶的核心，吞并周围的小晶粒而迅速长大，直至与邻近大晶粒接触。这种晶粒迅速、异常长大现象叫二次再结晶。 二次再结晶的推动力是大晶粒晶面与小晶粒晶面相比有较低的表面能，在表面能的驱动下，晶界向小晶粒的中心移动（质点向大晶粒移动），最终大晶粒长大而小晶粒消失。 * 2．二次再结晶与晶粒生长的区别 相同点：都是晶界移动的结果； 不同点： 1）晶粒生长是坯体内晶粒尺寸均匀的长大，服从Zener公式DL∝d/f，而二次再结晶是个别晶粒的异常长大，不服从Zener公式； 2）晶粒生长是平均尺寸长大，不存在晶核，二次再结晶是以原来的大颗粒作为晶核； 3）晶粒生长在晶界上不存在应力，晶界处于平衡状态，气孔处在晶界上，与晶界同步移动，二次再结晶的晶界上有应力存在，气孔被包裹到烧结体内。 * 3．二次再结晶的结果 若坯体中原始晶粒尺寸是均匀的，至烧结达到极限尺寸时，烧结体中晶粒的晶界数为3~8个，且晶界弯曲率都不大； 若烧结体中有晶界数多于10的大晶粒，则可成为二次再结晶的晶核，异常长大，且驱动力随着晶粒的长大而增加，晶界越过气孔移动，在短时间内吞并小晶粒，形成含有封闭气孔的大晶粒。 * 图