Al2O3-MgO复合掺杂钛酸锶钡陶瓷的显微结构与介电性能的研究.pdfVIP

能 财 232鼻口 抖 2010年论文集 胡国辛，高 峰，曹 宵，刘亮亮，田长生 (西北工业大学材料学院，陕西西安710072) 摘要： 以Bao．6Sro．。Ti03为基体材料，采用传统电具有优异的高频介电性能，是重要的高频装置介质瓷。 子陶瓷制备工艺，研究复合掺杂低介电常数氧化物 由陶瓷相图可知，纯相的MgO和Al。03均需要较高 A1203和MgO对BSTO材料显微组织结构争介电性的温度(1500℃)才能生成液相，但是当两相共存时， 能的影响规律。结果表明，BSTO／MgO／A1203 (BMA)陶瓷可在1350～1450℃烧结成瓷，主晶相为时就有液相生成。因此，若在BSTo体系中复合添加 BSTO和MgAl204；A13+比M92+更易于进入Bao．6MgO和Alzo。，不但能够降低材料体系的介电常数和 Sro．tTi03的晶格中置换Ti”，当A1203含量超过 介电损耗，而且可以降低材料体系的烧结温度，而目前 25．O％(质量分数)，A1203会与BaAl：04反应生成新 相BaAl。2 响规律报道尚少。因此，本研究以Bao．。Sro．．TiO。作为 O。。；适量的Al：O。-MgO复合掺杂可降低 BSTO陶瓷的介电常数，同时保持较高的介电可调性；基体成分，研究复合掺杂MgO和Al。O。对陶瓷材料 随Al：O。添加量的增加，BMA陶瓷材料的介温谱线出显微组织结构和介电性能的影响规律，着重探索 现了明显的频率色散现象，当Al：03添加量25％(质 量分数)时，陶瓷材料的介温谱线出现了双峰，介电峰 介电性能和高可调性的BSTO陶瓷材料。 被压低、宽化；当Al：O。添加量为20％(质量分数)时， 2 实验方法 材料在lkV／mm下的可调性达到33．9％。 关毽词：钛酸锶钡；显微结构；复合掺杂；介电性能； 可调性 Al。o。为原料。采用传统的固相反应合成法制备BS- 中圈分类号：TN384 文献标识码：A 添加适量10％(质量分数)MgO的基础上，再分别加 1 引 言 钛酸锶钡(Ba。一：Sr：TiO。，简称BSTO)是钛酸钡 (BaTiO。)与钛酸锶(SrTiO。)形成的仍为钙钛矿型结 构的连续固溶体。由于钛酸锶钡具有优异的介电性 配料，在乙醇介质中球磨12h，出料、烘干，粉料在 能[14]：介电常数调节方便、高的绝缘电阻、低的介电损 耗和较高的电容温度稳定性等，因此使得该材料体系 计，在BSTO粉体中加入Al。03，在乙醇介质中球磨 在高性能敏感元件、多功能半导体元件、铁电记忆材 12h，出料、烘干后加入质量分数为5％的PVA造粒， 料、相控阵天线、传输线和无线通讯等[．‘6]领域中的应 用具有很大的优势和潜力。研究发现Bao．。Sro．。TiO。的圆片和长条状坯体，排胶后分别于1350～1450℃烧 具有较好的综合介电性能，是国内外科研工作者较常 结2h，烧成后的样品经打磨抛光后被银电极，用于介 选取的基体材料。但是，纯Bao．。Sro．．Ti03陶瓷的介电电性能测试。 常数较高，这就导致材料在微波元器件中的插入损耗 很高，限制了其在微波领域中的应用。因此，降低钛酸 MPB 密度。采用荷兰X’Pert PRO型X射线衍射仪 锶钡基陶瓷的介电常数和介电损耗，同时保证材料具 分析烧结样品相结构。采用Supra55型场发射扫描 有较高的可调性，对该材料体系在微波领域中的实用 电子显微镜观察微观组织形貌。由TH2816型宽频 化具有重要的意义。 LCR数字电桥测试样品在低频下的介电常数、介电损 MgO和AlzOs均具有低介电常数和