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G18 AlSb 双掺杂对(GeTe)85(Ag0.6Sb1.4Te2.4)15 热电性能
的影响
杨胜辉 朱铁军 蔚翠 尹振忠 赵新兵∗
(硅材料国家重点实验室,材料科学与工程系,浙江大学, 浙江省杭州市310027 )
摘要:通过真空熔炼和真空热压方法制备了 Al-Sb 共掺杂的(GeTe)85(Ag0.6Sb1.4Te2.4)15 系列热电材
料。XRD 结果显示制得的材料主相为菱方 GeTe 相,高掺杂量的样品中有少量第二相。我们对
材料在 300 K 到 750 K 的热导率和电学性能进行了测试。所有样品的 Seebeck 系数都为正值,表
明材料都为p 型半导体。在电导率的曲线中,350 K-500 K之间出现明显的逆转,这是由于材料
中发生低温相向高温相转变造成的。随着掺杂量的增加,材料的电导率降低。材料的热导率随
掺杂量增加而降低,但在 5wt%样品出现逆转。经过计算,材料的热电优值 ZT 最高值出现在
0.5wt%掺杂样品中,在 750 K 时 ZT∼ 1.66。随着掺杂量增加,热电优值逐渐下降。这主要是因
为 AlSb 共掺造成了样品载流子浓度下降而降低材料的电导率,使得材料功率因子下降。
关键词:热电材料,电导率,热导率,TAGS
The Influence of Al-Sb Doping on Thermoelectric
Properties in (GeTe)85(Ag0.6Sb1.4Te2.4)15 Alloys
YANG Shenghui, ZHU Tiejun, YU Cui, YIN Zhenzhong,
*
ZHAO Xinbing
(Materials Science engineering and State Key Laboratory of Silicon, Zhejiang
University, Hangzhou 310027, Zhejiang, China)
Abstrcat: The Al-Sb doped (GeTe)85(Ag0.6Sb1.4Te2.4)15 alloys were prepared by melting
followed by hot pressing in vacuum. The results of X-ray diffraction indicate that all
samples are rhombohedral GeTe phase with space group R3m. Heavily doped samples
have a slight mounts of second phase. The electrical conductivity and thermal electrical
conductivity of all samples were measured in the temperature range from 300K to 750K.
There is a discontinuity in electrical conductivity around 350K to 500K, that is because
the phase transition happened from the low temperature rhombohedral phase to the high
temperature cubic phase. The electrical conductivity decreases with the doping content
increases. The S
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