GaAs+PIN二极管电热特性.pdfVIP

第26卷第6期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．26，No．6 2014年6月 HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMS Jun．，2014 GaAs PIN二极管电热特性’ 戚玉佳1， 李永东1， 周家乐1， 王洪广1， 李 平2， 刘纯亮1 (1．电子物理与器件教育部重点实验室(西安交通大学)，西安710049；2．西北核技术研究所，西安710024) 摘要： 通过T-CAD软件建立了PIN二极管的电学模型和热学模型，模拟了PIN二极管的稳态与瞬 态特性。研究了PIN二极管器件在正反偏压和脉冲电压下的电学特性及热学特性，讨论了PIN二极管的I层 厚度与温度的关系，模拟得到了不同I层厚度的稳态与瞬态响应曲线、得到了与器件内部温度的关系。模拟 结果表明：随着I层厚度的增加，器件内部最高温度增长减慢，器件内部最高温度区由结区位置向器件的中间 位置移动。 关键词： PIN二极管；电热特性； 脉冲电压 中图分类号： 0472．2 文献标志码： A doi：10．11884／HPLPB201426．065009 PIN二极管是由高掺杂的P区、N区和本征I层所构成，I层的厚度和载流子浓度因用途而异，从应用于微 波器件的几弘m的I层厚度到用于大功率电力电子功率器件的几百pm[1’3]。因此精确地获得I层的厚度及其 载流子浓度与器件内部电热分布之间的关系，有利于器件的设计，避免器件的失效，更充分地发挥器件性能[2]。 PIN二极管电热学特性研究，主要包括PIN二极管器件内部的电学特性和器件内部热学分布特性，其目的是 为更好地保护电路中其他器件和PIN二极管自身H。5]。国内外有许多文献研究半导体器件的瞬时特性，并提 偏压和脉冲电压下的电学特性及热学特性。 1 PIN二极管的结构模型建立 有一本征I层所构成，器件尺寸为水平(z)方向0～100 cm～，呈现高斯分布，I层载流子浓度1013～1015cm一。P区和N区的厚度 N+区的载流子浓度为1015～1020 一——…一—◆J anode P+ f10“。10”cm。1 I (10”～10”cm。) N’ r1015～10∞cm3、 cathode distributiondirectionofPINdiodes PINdiodestructure Carrier along F峨1 Fig．2 y 图1 PIN二极管结构图 图2器件内部的载流子浓度沿y方向分布图 2 PIN二极管的电热特性数值模拟 2．1 PIN二极管在正反偏压下的电热特性分析 V的直流电压，得到f—V曲线如图3(a) PIN二极管I层厚度为30肛m时，在器件两端施加一50～50 *收稿日期：2013—11—15；修订日期：2014—03—21 基金项目：国家自然科学基金项目；高功率微波技术重点实验室基金项目 作者简介：戚玉佳(1983一)，男，博士，从事HPM器件数值模拟研究；qi．yu．jia@stu．Xjtu．edu．cn。 通信作者：李永东(1974一)，男，副教授，博士生导师，主要从事脉冲功率方面的研究；leyond@mail_xjtu．edu．cn。 065009—1 强 激 光 与