氧化钴多孔薄膜的电化学制备及其超电容性能.pdf

第34卷第6期 湖南大学学报(自然科学版) VoI．34．No．6 2O07年6月 ofHunan O07 Joumal UniverSity(Naturalsciences) Jun．2 文章编号：1000—2472(2007)06—0044—05 氧化钴多子L薄膜的电化学制备 及其超电容性能+ 陈金华t，孙 峰，樊 桢，崔坤在，周海晖，旷亚非 (湖南大学化学化工学院，湖南长沙410082) 摘 mol／L mol／L 要：采用恒电流沉积方法，以O．2 CoS04+1．5H2S04为电镀液，在阴 极大电流密度下，以氢气泡为模板，在石墨基体上成功制备了CoO。·yH20多孔薄膜．通过 扫描电子显微镜、循环伏安法和恒电流充放电技术等对CoO。·yH20多孔薄膜的形貌及超 电容性能进行表征和研究，并对C00。·yH20多孔薄膜的沉积机理进行了探讨．结果表明： CoO，·yH20薄膜呈纳米／亚微米级的多孔结构，随阴极电流密度的增加，薄膜的孔径增大； 同时，膜层具有优异的充放电性能和功率特性，比电容达64．8F·g_。，并具有良好的稳定 性． 关键词：氧化钴；电沉积；多孔；超电容 53 文献标识码：A 中图分类号：TM on and of StudyPreparationCapacitivePropertiesCoOz．y王乇O PorousFilmsFabricatedElectrochemicalMethod by CHEN Ya—fei Jin—huat，SUN Zhen，CUIKun—zai，ZHOUHai—hui，KUANG Feng，FAN of andChemical (College Univ。ChangSha，Humn410082。China) ChemiS廿y EngineeriIlg。Hunan filmswere on electrodewitha ca— electrodepositedsucceSSfully Abstract：C002·yH20porous graphite high thodiccurrent in0．2 Solution mol几H2S04 density mol几CoS04+1．5 aqueOus throughH2gas ofthe filmswerecharacterized electron micrographsCooz’yH20porous byscanning the ofthe electrodewere in2MKOH