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氧气流量对射频磁控溅射制备Cu2O薄膜性能的影响.pdf
第39卷第5期 人 工 晶 体 学 报 v01.39N。.5
垫!鱼生!Q旦 』Q堕垦堕垒垦 Q!墨!堕!旦垦卫垦垦垦!墨坠坐 Q!!旦生!:圣Q!Q
一
氧气流量对射频磁控溅射制备
O薄膜性能的影响
Cu2
林龙,李斌斌,鲁林峰,江 丰,沈鸿烈
(南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京210016)
摘要:通过磁控溅射方法在玻璃衬底七制备Cu:0薄膜,采用x射线衍射(XRD)、分光光度计、原子力显微镜
sccm
(AFM)和x射线光电子能谱(XPS)等研究了氧气流量对Cu:O薄膜性能的影响。结果表明:氧气流量为4.2
时,薄膜为单相的Cu:O,具有较高的结晶质量和可见光透过率,光学带隙为2.29eV,薄膜的导电类型是P型且空
穴浓度为2×10”cm。。通过XPS能谱分析cu2p,疋和Ols结合能,确定了薄膜中cu以+l价存在。
关键词:氧化亚铜;磁控溅射;电阻率;光透射率;氧气流量
中图分类号:0484 文献标识码:A
Effectof FlowRateonthe of Oxide
Cuprous
Oxygen Properties
ThinFilms RF
Sputteredby Magnetron
Bin—bin,LU
LIN厶愕,U Lin-feng,JIANGFeng,SHEN舶昭一胁
ofMaterialScienceand ofAeronauticsand
University Astronautics,Nanjing210016,China)
(CoUege Technology,Nanjing
26 6 2010)
(ReceivedAprlt2010,ac∞ptedMay
filmswere on substrate
Abstract:Cuprousoxide(Cu20)thin depositedglass bymagnetronsputtering
the thinfilms
method.Theinfluenceof flowrateon of 0 wa$investigatedbyX-ray
oxygen propertiesCu2
diffraction(XRD),UV—vis force
spectrophotometer,atomicmicroscope(AFM)andX·rayphotoelectron
showthatwhenthe flow isat4.2
results oxygenrate sccm,singlephaseCu
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