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用电沉积法制备稀土填充热电材料Bi2Sb3Rex.pdf
2010年第18卷 合成化学 V01．18，2010
Chinese of
第3期，356—360 Journal Chemistry No．3，356—360
Synthetic
·研究简报·
用电沉积法制备稀土填充热电材料Bi2Sb3Rex
田 鹏，曾艳芳，叶洞君，龚晓钟
(深圳大学化学与化工学院，深圳市功能高分子重点实验室，广东深圳518060)
摘要：分别以脉冲电沉积法和直流电沉积法制备了稀土填充热电材料Bi2Sb，Re，(Re=Ce，Nd)。结果表明，采
000
用脉冲电沉积法，在通断脉宽为T。=10ills(电流1A)，T甜=40m8(电流0A)，电流密度2 A-m～，电沉
积时间180 rfl$(电流l
8的条件下制得的电沉积膜Bi2sb，ce：，表面均匀、光滑、致密；在通断脉宽为T。。=0．4
800
A)，T。=2．4髓(电流0A)，电流密度2 A·m～，电沉积时问1208，占空比为0．142的条件下制得的电沉
积膜Bi：Sb，Ndo．。，表面均匀、光滑、致密。
关键词：脉冲电沉积法；直流电沉积法；稀土填充热电材料；Bi：Sb3Re。；制备
中图分类号：0646 文献标识码：A
of Earth
Rare Thermoelectric
Preparation Doped
Materials Method
byElectrodeposition
Bi2Sb3Rex
TIAN ZENG GONG
Peng， Yah—fang，YEDong-jun， Xiao-zhong
ofFunctional of and
Chemical
(ShenzhengKeyLaboratory Polymers，CollegeChemistry En6neeHng，
Shenzhen 51
UTIiv∞ity，Shemhen8060，China)
materialswithrare
Abstract：Thermoelectric
doped earth，Bi2Sb3Re。(Re=Ce，Nd)，wereprepared
methodanddirectcurrent re-
bypulseelectrodeposition electrodepositionmethod，respectively．The
suitsshowedthatsurface of and exhibitedthe black
morphology
Bi2Sb3Ce2 Bi2Sb3Ndo．1 electrodep
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