磷扩散法制备P型ZnO薄膜.pdfVIP

第36卷第4期 人 工 晶 体 学 报 v01．36N。4 塑!堡!旦 !!!!坠!!!!型望!堡!!些堑 !型坚些 磷扩散法制备p型Zno薄膜 丁瑞钦1，朱慧群1，曾庆光1，林民生2，冯文胜2， 梁毅斌2，梁满堂2，梁达荣2 (1．五邑大学薄膜与纳米材料研究所，江门529020；2．五邑大学信息学院，江门529020) 摘要：应用射频反应磁控溅射的方法，将zno薄膜沉积于高磷掺杂的n‘型si衬底上。在沉积和后退火过程中，磷向五to 薄膜扩散并被激活，使岛0薄膜由n型转化为p型，从而形成p型五帕薄膜。x射线衍射分析(xRD)证明了所制备的 x10“／cm3的霍 zno薄膜都是高c轴取向的六角纤锌矿结掏的薄膜。电学，_y关系曲线的整流特性和空穴浓度≥1．78 耳效应测试结果证明了p型zn0薄膜的形成。 关键词：磷扩散；p型znO薄膜；磁控溅射；异质znOp—n结 中圈分类号：0484 文献标识码：A Zno P弛pamtioⅡofp-咖e Fn瞄byPhospIho邶D曲lsi叫 D舢尺ui·g饥1，z删H城一口¨n1，zEⅣGQl愕一g啪愕’，删埘Mk增2，F卧rG％州缸增2 删GH-6嵇，脚G肘∞一船谚，Ⅲ腓m-rD舌 (1鸭加FllmandN蚴啪me捌$In鲥hne，wu—uIIive口畸，且皿g呲n529020，Chill8； 2．IT血Ⅲmdon con。学，w叫u“嘲目畸，Ji蛆鲫帆529020，clli越) (胁女耐4胁”，y瑚7；一删29舶碗2啷) tllill were si Ab蔓由丑ct：znO6lms on subs嘶tesradio initiBllydeposited doped he日Vdy by h8quenoy reaction were fmm to from tlle ma舭tr0“sputteri“g，andchangedn-typep-typebyphosphonlsdmsing sisubs血testotheZnO6lDls明dactiVated results being du血瞎deposi廿on蚰danne出Ilg．E1perimental of sllowt}IattheZnO wunzitestmctu阳andcaxis x—ray击m扯don crys阻mnew鹅hex890r181 h远hIy of oIientated．Theformation znO靠1msmgco面瑚ed elec访eal p—type by血e rect匆l“g the tlleholeconce