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陈 亮 等：离子束溅射BST 薄膜的制备及结构分析 1379 离子束溅射BST 薄膜的制备及结构分析* ∗ 陈 亮，张 曙，邓书康，陈 刚，高立刚，阚家德，杨 宇 （云南大学 材料科学与工程系，云南 昆明 650091 ） 摘 要：本文采用离子束溅射的方法制备了不同衬底 2 实 验 温度下的BST 薄膜，用X 射线、Raman 、SPM 等技 术对晶体结构及微观形貌进行表征，研究了离子束溅 2.1 BST 靶材的制备 射制备BST 的工艺。 根据靶材成分的不同，实验采用分析纯的 关键词：钛酸锶钡；薄膜；离子束溅射；晶体结构 BaCO 、SrCO 和TiO 为原料，按照陶瓷靶的烧结工 3 3 2 中图分类号：TN304 文献标识码：A 艺：配料→一次球磨 （拌乙醇）→烘干→过筛→一次 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 烧结(850 ℃) →二次球磨→烘干→手工碾磨→过筛→ 1 引 言 造粒(聚乙烯醇) →压片→烧结(1400 ℃)成型，制备了 两种不同配比(Ba0.5Sr0.5TiO3 和 Ba0.6Sr0.4TiO3 ) 的靶 近年来,对铁电薄膜的性能、应用和制备的研究， 材。 已成为国际上新型功能材料与器件的一个新热点。这 2.2 BST 薄膜的制备 不仅是因为薄膜材料几何设计的可塑性,更重要的是 用70 mm ×70mm 、厚度3mm 的Ba0.65Sr0 。35TiO3 铁电薄膜具有优越的电极化特性、热释电效应、压电 作溅射靶材，以Si （100 ）基片为衬底溅射制备薄膜。 效应、电光效应、高解电系数和非线性光学性质等一 实验仪器：FJL—560 ш型的超高真空磁控与离 系列特殊性质，可以利用这些性质制作不同的功能器 子束联合溅射设备。衬底Si(100)用超声波进行清洗， 件，并可望通过铁电薄膜材料与其它材料的集成或复 吹干，放在设备里用反溅离子枪轰击清洗 10min，然 合，制作集成性器件。铁电薄膜的种类较多，常见的 后进行溅射。 有：PZT 、PLT 、BST 、SBT 等。其中BST 薄膜由于 工艺参数为：溅射时间 3h ，溅射束流 20 ，溅射 具有非线性强，漏电流小，不易疲劳，居里温度较高 束压 1200V ，溅射气压 2.0 ×10-2Pa ，本底真空4.0 × 等特点，因而最近国内外研究人员对其制备、结构、 10-4Pa ，加速电压 200V ，放电电压 60V ，加速电流 性能、应用方面做了大量的研究。美国TI 公司采用 2mA ，灯丝电流8A，基片Si （100），衬底温度：25 、 BS Ｔ陶瓷材料制作的非致冷红外焦平面已形成产品， 100、200 、300、400 ℃。 在军事和民用领域有多种用途[4] 。国内中科院上海技