第七章 MESFET 及相关器件exercises.docVIP

习题 7.1 金属-半导体接触 1．当外加偏压为零时，求出金属—半导体二极管的势垒高度和内建电势的理论值。假设金属的功函数为4.55eV，电子亲和力为4.01eV，且温度为300K时。 2．(a)求出图6.6中，钨-砷化镓肖特基势垒二极管的施主浓度与势垒高度。 (b)比较由图6.8所示饱和电流密度为所得的势垒高度。 (c)反向偏压为 -1V时，计算出耗尽区宽度W、最大电场以及电容。 3．将铜淀积于细心准备的n型硅衬底上，形成一理想的肖特基二极管，若=4.65eV，电子亲和力为4.01eV，,而T＝300K。计算出零偏压时的势垒高度、内建电势、耗尽区宽度以及最大电场。 4.已知一金属p-n型砷化镓肖特基势垒二极管的电容满足关系式，其中C的单位为，而单位为V。若二极管面积为，计算出内建电势、势垒高度、掺杂浓度以及其功函数。 5．计算出理想金属-硅肖特基势垒接触的与的值。假设势全高度为0.8eV，而＝4.01eV。 6．对一金属-硅肖特基势垒接触而言，若势垒高度为0.75eV，而。 计算出在300K时所注入的空穴电流与电子电流问的比，假设，，而。 7.2金半场效应晶体管[MESFET] 7．若＝0.9eV且，求出使GaAs MESFET成为一耗尽模式器件(也就是＜0＝的最小外延层厚度为多少？ 8．若一砷化镓MESFET的掺杂浓度。尺寸为＝，L＝，，又／