第三章 载流子输运现象exercises.docVIP

习题 3.1载流子漂移 1. 求出本征硅晶及本征砷化镓在300K时的电阻率。 2. 假定在T=300K，硅晶中的电子迁移率为=1300,再假定迁移率主要受限于晶格散射，求在（a）T=200K及（b）T=400K时的电子迁移率。 3. 在一半导体中存在两个散射机制。若只有第一种机制显现，迁移率为250；若只有第二种机制显现，迁移率为500。求当两种机制同时存在时的迁移率。 4. 对于以下每一个杂质浓度，求在300K时硅晶样品的电子及空穴浓度，迁移率及电阻率：（a）每立方厘米5×个硼原子；（b）每立方厘米2×个硼原子及1.5×个砷原子；（c）每立方厘米5×个硼原子、每立方厘米个砷原子及每立方厘米个镓原子。 *5. 在T=300K下，考虑一个补偿n型硅晶，其电导率=16且受主掺杂浓度为cm。求施主浓度及电子迁移率。（补偿半导体指在同样的区域里同时包含施主及受主的掺杂原子）。 6. 对一个半导体而言，其具有一固定的迁移率比，且与杂质浓度无关，求其最大的电阻率并以本征电阻率及迁移率比表示。 7. 利用一个四探针（探针间距为0.5mm）来测量一个p型硅晶样品的电阻率。若样品的直径为200mm，厚度为50，求其电阻率。其中接触电流为1mA，内侧两探针羊所测量到的电压值为10mV。 给定一个未知掺杂的硅晶样品，霍耳测量提供了以下的信息：W=0.05cm,A=1.6×（参考图3.8），I=2.5mA