适用于深沟槽结构观测的TEM样品制备技术.pdfVIP

封装 、测试与设备 Package ,Test and Equipment doi :103969/ j issn1003353x201002018 适用于深沟槽结构观测的 TEM 样品制备技术 张启华 , 高强 , 李明 , 牛崇实 , 简维廷 ( 中芯国际集成电路制造有限公司 , 上海 201203) ( μ ) ( 摘要 : 对于深沟槽 DRAM 电容这类纵向深度深 超过5 m 但是平面尺寸又很小 小于 μ μ ) 02 m ×02 m 的结构来说 , 传统的 TEM 制样方法 , 无法满足其细微结构全面观测的需求 , 此外传统的方法制样也比较费时 , 成功率也比较低 。介绍了一种 “FIB 横向切割”技术 , 适用于 对这类结构的观测 。它与传统 FIB 制样方法的主要区别在于 , 切割方向由纵向切割改为横向切 割 。用这种方法制备的 TEM 样品 , 可以完整地观测同一个深沟槽 DRAM 电容结构的所有细微结 构 。制样过程比较简单 、速度快 、成功率高 。以一个实例分析 、比较了传统制样方法和新的制样 方法 , 突显了 “FIB 横向切割”技术的优点 。 关键词 : 透射电子显微镜 ; 样品制备技术 ; 聚焦离子束 ; 动态随机存储器电容 ; 横向切割 中图分类号 : TN407 　　文献标识码 : A 　　文章编号 : 1003353X (2010) TEM Sample Preparation Technique for Deep Trench Structure Observation Zhang Qihua , Gao Qiang , Li Ming , Niu Chongshi , Chien Weiting Kary ( SMI C , S hanghai 201203 , China) Abstract : The traditional TEM sample preparation technique is hard to meet the inspection requirement of deep trench structure . A new technique named as “FIB transverse cut ”for this structure was introduced . Deep trench means the structure with small size (less than 02 μ 02 μ ) m × m from top view and very deep ( μ ) more than 5 m depth . DRAM capacitor is one of the deep trench structures. With this sample preparation technique , the thickness of ONO on the top , middle and bottom of the capac